-
公开(公告)号：CN101257187A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081373.0
申请日：2008-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。
-
公开(公告)号：CN101950924B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010298304.2
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
-
公开(公告)号：CN101752783B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200910226581.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , Y10S117/915
Abstract: 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148477A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034238.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。
-
公开(公告)号：CN101257187B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810081373.0
申请日：2008-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。
-
公开(公告)号：CN1881633A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610099681.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
-
公开(公告)号：CN1592012A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058890.8
申请日：2004-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34313
Abstract: 提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1％。
-
公开(公告)号：CN1444317A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120129.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01L33/44 , H01S5/0287
Abstract: 本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率nc的半导体激光器12的一个端面上设置具有折射率为n1、膜厚为d1的第1层镀膜16和折射率为n2、膜厚为d2的第2层镀膜18的低反射镀膜14，该低反射镀膜14以如下方式制成：在使第2层镀膜18的表面上的自由空间的折射率为n0时，在半导体激光器的规定的激光波长λ0处，由该波长λ0、折射率n1和n2、膜厚d1和d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在n1、n2中只有某一方小于nc与n0的乘积的平方根。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.023 seconds)
