公开(公告)号：CN116897480A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180095168.3

申请日：2021-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/22

Abstract: 本公开的半导体激光装置具备在第1导电型的半导体基板(2)之上层叠的第1导电型的包覆层(3)、第1导电型侧的光导层(61)、活性层(7)、第2导电型侧的光导层(81)、第2导电型的包覆层(11)以及第2导电型的接触层(14)和长度为Lc的谐振器，谐振器由长度为Lf的电流限制区域和长度为Lc－Lf的电流注入区域构成，电流限制区域由脊内侧区域(Iai)、设置于脊内侧区域(Iai)的两侧并具有电流非注入构造的脊外侧区域(Iao)、和设置于脊外侧区域(Iao)的两侧并且至少被除去接触层(14)以及包覆层(11)的包覆区域(IIc)构成，电流注入区域由脊区域(Ia)和设置于脊区域的两侧的包覆区域(IIc)构成。

公开(公告)号：CN100336274C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410087971.0

申请日：2004-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02461 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的课题是减小垂直光束扩展角并减少高输出工作时的端面恶化，通过改善朝向散热体一侧的热移动来提高高输出工作时的可靠性。本发明的半导体激光器具备：具有一个主面的热沉24；在该热沉24的主面上配置的n-AlGaAs包层30；在该n-AlGaAs包层30上配置的AlGaAs有源层34；以及在该AlGaAs有源层34上配置的p-AlGaAs包层38，使AlGaAs有源层34的热沉24一侧的主面与n-AlGaAs包层30的热沉24一侧的主面之间的有效折射率和热阻分别比AlGaAs有源层34的与热沉24相反一侧的主面与p-AlGaAs包层38的与热沉24相反一侧的主面之间的有效折射率和热阻小。

公开(公告)号：CN116648837A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180062640.3

申请日：2021-01-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/22

Abstract: 本公开的半导体激光装置具备：层叠于半导体基板(2)之上的第一导电型的包覆层(3)、第一导电型侧的光引导层(61)、活性层(7)、第二导电型侧的光引导层(81)、第二导电型的包覆层(11)以及第二导电型的接触层(14)；谐振器，由前端面和后端面构成；以及脊区域，在前端面与后端面之间对激光进行导波，该半导体激光装置的特征在于，脊区域由脊内侧区域和脊外侧区域构成，脊内侧区域的有效折射率为nai，脊外侧区域设置于脊内侧区域的两侧，有效折射率为nao，并且具有电流非注入构造，脊外侧区域宽度的Wo大于从电流非注入构造的下端部到活性层的距离。

公开(公告)号：CN1624995A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410087971.0

申请日：2004-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02461 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的课题是减小垂直光束扩展角并减少高输出工作时的端面恶化，通过改善朝向散热体一侧的热移动来提高高输出工作时的可靠性。本发明的半导体激光器具备：具有一个主面的热沉24；在该热沉24的主面上配置的n－AlGaAs包层30；在该n－AlGaAs包层30上配置的AlGaAs有源层34；以及在该AlGaAs有源层34上配置的p－AlGaAs包层38，使AlGaAs有源层34的热沉24一侧的主面与n－AlGaAs包层30的热沉24一侧的主面之间的有效折射率和热阻分别比AlGaAs有源层34的与热沉24相反一侧的主面与p－AlGaAs包层38的与热沉24相反一侧的主面之间的有效折射率和热阻小。

公开(公告)号：CN115088149B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202080095815.6

申请日：2020-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22

Abstract: 在第一导电型的半导体基板(2)上依次层叠有折射率为nc1的第一导电型包覆层(3)、第一导电型侧光引导层(56)、活性层(7)、第二导电型侧光引导层(89)、以及折射率为nc2的第二导电型包覆层(11)，振荡波长为λ，在第一导电型侧光引导层(56)与第一导电型包覆层(3)之间、或在第一导电型包覆层(3)内，具有厚度为d1且折射率为比nc1低的n1的第一导电型低折射率层(4)，并且在第二导电型侧光引导层(89)与第二导电型包覆层(11)之间、或在第二导电型包覆层(11)内，具有厚度为d2且折射率为比nc2低的n2的第二导电型低折射率层(10)，并且满足标准化频率v2＞标准化频率v1。

公开(公告)号：CN111095700A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201780094722.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/22

Abstract: 半导体激光装置具有半导体层，该半导体层包含有源层和夹着有源层的多个包层。有源层包含：条带状的有源区域，其向激光射出方向延伸；一对第一折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，在有源区域的两旁延伸；以及一对第二折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，从一对第一折射率区域的外侧夹着有源区域和一对第一折射率区域。将激光振荡波长设为λ，将激光振荡波长设为λ，将有源区域的有效折射率设为na，将第一折射率区域的有效折射率设为nc，将第二折射率区域的有效折射率设为nt，将有源区域的宽度设为w，将m设为正的整数。在该情况下，就半导体激光装置而言，na>nt>nc，并且满足式(5)、式(8)、及式(9)的条件。

公开(公告)号：CN115088149A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080095815.6

申请日：2020-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22

Abstract: 在第一导电型的半导体基板(2)上依次层叠有折射率为nc1的第一导电型包覆层(3)、第一导电型侧光引导层(56)、活性层(7)、第二导电型侧光引导层(89)、以及折射率为nc2的第二导电型包覆层(11)，振荡波长为λ，在第一导电型侧光引导层(56)与第一导电型包覆层(3)之间、或在第一导电型包覆层(3)内，具有厚度为d1且折射率为比nc1低的n1的第一导电型低折射率层(4)，并且在第二导电型侧光引导层(89)与第二导电型包覆层(11)之间、或在第二导电型包覆层(11)内，具有厚度为d2且折射率为比nc2低的n2的第二导电型低折射率层(10)，并且满足标准化频率v2＞标准化频率v1。

公开(公告)号：CN111095700B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201780094722.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/22

Abstract: 半导体激光装置具有半导体层，该半导体层包含有源层和夹着有源层的多个包层。有源层包含：条带状的有源区域，其向激光射出方向延伸；一对第一折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，在有源区域的两旁延伸；以及一对第二折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，从一对第一折射率区域的外侧夹着有源区域和一对第一折射率区域。将激光振荡波长设为λ，将激光振荡波长设为λ，将有源区域的有效折射率设为na，将第一折射率区域的有效折射率设为nc，将第二折射率区域的有效折射率设为nt，将有源区域的宽度设为w，将m设为正的整数。在该情况下，就半导体激光装置而言，na>nt>nc，并且满足式(5)、式(8)、及式(9)的条件。

公开(公告)号：CN1592012A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410058890.8

申请日：2004-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男 ,  川崎和重

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34313

Abstract: 提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1％。

公开(公告)号：CN118923010A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202280093860.7

申请日：2022-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开的光半导体装置(100)的有效折射率为nc，波长为λ且在端面具有防反射膜(10)，防反射膜(10)由从折射率为n1且膜厚为d1的第一覆盖膜到折射率为ni且膜厚为di的第i覆盖膜(i≧4)为止的i个覆盖膜构成，第k覆盖膜(1≦k≦i)的膜厚设定为λ/2/nk以外，一层以上的覆盖膜的折射率大于有效折射率nc的平方根亦即折射率nf，一层以上的覆盖膜的折射率小于折射率nf，多层覆盖膜的特性矩阵与折射率为nf且膜厚df为λ/4/nf的单层覆盖膜的特性矩阵相等，i个覆盖膜中i－3层的覆盖膜的膜厚被预先设定，剩余的三层覆盖膜的膜厚通过从多层覆盖膜的特性矩阵导出的三个联立方程式的解来决定。