功率用半导体元件的驱动电路

    公开(公告)号:CN110945789A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201880048828.0

    申请日:2018-05-17

    Abstract: 本公开所涉及的功率用半导体元件的驱动电路(100)具备:控制指令部(102),输出功率用半导体元件(101)的接通指令;栅极电压检测部(103),在控制指令部(102)输出接通指令之后,检测施加到栅极端子(101g)的栅极电压;微分器(104),对由栅极电压检测部(103)检测出的栅极电压进行时间微分;以及判定部(110),根据由栅极电压检测部(103)检测出的栅极电压和通过微分器(104)得到的微分值,判定功率用半导体元件(101)是否为短路状态。

    功率用半导体元件的驱动控制电路

    公开(公告)号:CN107636968A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201680032947.8

    申请日:2016-05-30

    Abstract: 电压驱动部(3)根据导通指令或者截止指令使作为功率用半导体元件(100)的控制电极的栅极(101)的电压变动。栅极电压检测部(4)生成栅极电压的检测信号(VG)。延迟信号生成部(5)生成对检测信号(VG)赋予延迟时间得到的延迟信号(dVG)。差分运算部(6)生成检测信号(VG)以及延迟信号(dVG)之间的电压差分信号(VD)。在功率用半导体元件(100)的接通动作时,在电压差分信号(VD)超过基准电压(VR1)时,短路状态检测部(7)检测功率用半导体元件(100)的短路状态。

    电力用半导体元件的驱动电路、电力用半导体模块以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN118077128A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202180103108.1

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 用于电力用半导体元件(1)的驱动电路(100)包括:电压钳位电路(20),连接于第一主电极(C)与控制电极(G)之间;以及第二关断电路(30),包括在控制电极(G)与第二主电极(E)之间串联连接的电容元件(31)及开关元件(32)以及与电容元件(31)并联连接的电阻元件(33)。关断控制电路(40)在电力用半导体元件(1)的关断开始之后,在第一主电极(C)与第二主电极(E)之间的电压上升时,将第二关断电路(30)的开关元件(32)切换为导通状态。

    电力用半导体元件的驱动电路以及使用其的电力用半导体模块

    公开(公告)号:CN113169659B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201880100001.X

    申请日:2018-12-11

    Inventor: 堀口刚司

    Abstract: 驱动电路驱动包括控制端子、第1主电极以及第2主电极的电力用半导体元件(1)。驱动电路具备用于使电力用半导体元件截止的第1开关截止电路(3)以及第2开关截止电路(10)。第2开关截止电路(10)的阻抗低于第1开关截止电路(3)的阻抗。在电力用半导体元件(1)断开时,在电力用半导体元件(1)是异常状态时,仅第1开关截止电路(3)动作,在电力用半导体元件(1)是正常状态时,第1开关截止电路(3)和第2开关截止电路(10)互补地动作。

    电力用半导体模块以及使用该电力用半导体模块的电力变换装置

    公开(公告)号:CN111788769A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201880089207.7

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 电力用半导体模块(1000)具备:至少1个上臂,设置于正极线(PL)与节点(NDa)之间,包括并联连接的电力用半导体元件(1Pa)和续流二极管(2Pa);至少1个下臂,设置于负极线(NL)与节点(NDa)之间,包括并联连接的电力用半导体元件(1Na)和续流二极管(2Na);以及缓冲电路(5),设置于正极线(PL)与负极线(NL)之间。缓冲电路(5)包括串联连接的缓冲电容器(3)和缓冲电阻(4)。至少1个控制端子(7)将表示缓冲电阻(3)的温度的电压或与缓冲电阻(3)的温度相关联的电压输出到对电力用半导体元件(1Pa,1Na)进行驱动的驱动器(11)。

    半导体装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110612600A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201880030191.2

    申请日:2018-01-04

    Abstract: 提高半导体装置的劣化的检测精度。第1金属图案(51)、第2金属图案(52)与控制部(100)连接。键合线(41)连接第1金属图案(51)和发射极电极(31)。线状导体(1a)连接于第1电极焊盘(311)与第2电极焊盘(312)之间。第1键合线(411~414)连接第1电极焊盘(311)和第2金属图案(52)。第2键合线(415~418)连接第2电极焊盘(312)和第2金属图案(52)。控制部(100)在第1金属图案(51)和第2金属图案(52)之间的电位差超过阈值的情况下检测出半导体装置(1)的劣化。

    半导体装置及电力转换装置

    公开(公告)号:CN109451779A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201780040030.7

    申请日:2017-06-23

    Abstract: 半导体装置(1)具备:正极侧半导体元件(7)、负极侧半导体元件(8)、正电极板(4)、负电极板(5)、交流电极板(6)、正极侧辅助电极端子(13)、负极侧辅助电极端子(14)、正极侧电容器(11)、负极侧电容器(12)。正电极板(4)与正极侧半导体元件(7)的第一正极(71)连接。负电极板(5)与负极侧半导体元件(8)的第二负极(82)连接。交流电极板(6)与正极侧半导体元件(7)的第一负极(72)及负极侧半导体元件(8)的第二正极(81)连接。正极侧电容器(11)与正电极板(4)连接,并且与正极侧辅助电极端子(13)连接。负极侧电容器(12)与负电极板(5)连接,并且与负极侧辅助电极端子(14)连接。

    驱动电路以及使用该驱动电路的功率模块

    公开(公告)号:CN109417386A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780038635.2

    申请日:2017-06-21

    Inventor: 堀口刚司

    Abstract: 驱动电路响应控制信号(CNT1)的接通指令使NPN晶体管(5)和晶体管(9)接通而对功率晶体管(51)的栅极供给正电流,在经过规定时间之后使晶体管(9)断开而使栅极驱动力降低。驱动电路响应控制信号(CNT1)的断开指令使PNP晶体管(6)和晶体管(10)接通而对功率晶体管(51)的栅极供给负电流,在经过规定时间之后使晶体管(10)断开而使栅极驱动力降低。

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