公开(公告)号：CN1487656A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN02142590.6

申请日：2002-09-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 名野隆夫 ,  植本彰

IPC: H02M3/135

Abstract: 本发明提供一种高效率且大输出电流的供给泵电路。该供给泵设置有：根据时钟脉冲来控制电荷转送用MOS晶体管M1至M4的导通/断开的电平移位电路S1至S4；以及从供给泵电路的中途分支且输出正的升压电压的分支供给泵电路BC，通过使用分支供给泵电路的各级的输出V4、V5以作为电平移位电路S3、S4的高电位侧的电源，而使供给泵电路的电荷转送用MOS晶体管M1至M4在导通时其栅极·源极间电压成为大致固定值。

公开(公告)号：CN1428863A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02159820.7

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子智 ,  大古田敏幸 ,  名野隆夫

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/78 ,  G05F1/10

CPC classification number: H01L27/0921 ,  H01L27/0623 ,  H02M3/07 ,  H02M3/073

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和外延硅层51B，在外延硅层51B中设置P型阱区域52A、52B。设有与P型阱区域的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55之下相接并将P型阱区域52A、52B自P型单晶硅基板50电分离的N+型埋入层56，在P型阱区域52A、52B内各自设置MOS晶体管，并将MOS晶体管的漏极层D和P型阱区域52A、52B分别电连接。