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公开(公告)号:CN104051145A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310728230.5
申请日:2013-12-25
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F41/046 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明涉及一种电感器及其制造方法。根据本发明的实施方式的电感器包括:在其表面上具有导电图案的芯板和用于覆盖芯板以使导电图案不暴露的磁性层,其中,该磁性层是由金属聚合物复合材料制成并且具有多层结构。
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公开(公告)号:CN110400683B
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN201910091209.6
申请日:2019-01-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种电感器,所述电感器包括:主体,所述主体包括支撑构件、内线圈以及包封部,所述支撑构件包括通孔,所述内线圈设置在所述支撑构件上,所述包封部包封所述支撑构件和所述内线圈;外电极,设置在所述主体的外表面上并连接到所述内线圈。所述外电极包括导电树脂层以及具有第一导电层和第二导电层的双导电层,所述双导电层设置在所述导电树脂层和所述内线圈之间。
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公开(公告)号:CN105097186B
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201410432461.6
申请日:2014-08-28
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49827 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01F41/046 , H01F2017/002 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 种芯片电子组件,能够改善形成在绝缘衬底的上、下表面上的内部线圈之间的连通性,并且防止通过减小最外层的贯通电极的大小及减小贯通衬垫的大小而由于贯通衬垫的面积引起的电感衰减。
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公开(公告)号:CN104051145B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201310728230.5
申请日:2013-12-25
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F41/046 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明涉及一种电感器及其制造方法。根据本发明的实施方式的电感器包括:在其表面上具有导电图案的芯板和用于覆盖芯板以使导电图案不暴露的磁性层,其中,该磁性层是由金属聚合物复合材料制成并且具有多层结构。
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公开(公告)号:CN105225793A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201410429141.5
申请日:2014-08-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 一种电感器,包括:支承件,该支承件包括树脂层以及厚度大于该树脂层厚度的第一金属层和第二金属层,并且所述第一金属层和第二金属层分别设置在所述树脂层的两个表面上;第一线圈和第二线圈,该第一线圈和第二线圈分别设置在所述第一金属层和第二金属层上,并且在各自彼此面对的一端形成有比其他部分宽度增加的第一衬垫部和第二衬垫部;通过电极,该通过电极形成在所述支承件内,以垂直地穿过所述支承件,从而将所述第一线圈的所述衬垫部和第二线圈的所述衬垫部彼此连接;以及主体,该主体中嵌入有所述第一线圈和第二线圈,其中,所述第一金属层和第二金属层分别具有形成在与所述第一衬垫部和第二衬垫部对应的位置的第一凹槽部和第二凹槽部。
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公开(公告)号:CN104347228A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410168495.9
申请日:2014-04-24
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F1/15308 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/292 , Y10T29/49155
Abstract: 提供了一种用于片式电子组件的磁性膏组合物、一种片式电子组件及一种制造片式电子组件的方法。该片式电子组件包括:磁性体,包括绝缘基板;内导体图案,形成在绝缘基板的一个或更多个表面上。外电极形成在磁性体的外表面上并且连接到内导体图案。磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒。第一磁性颗粒和第二磁性由包含铁的非晶金属形成。第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒,第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。该片式电子组件能够被制造在薄膜中以使其纤薄并且微型化,从而防止其即使在高频率和高电流条件下因芯损耗而降低效率。该片式电子组件通过降低孔隙率而展示出高磁导率、高效率和高Isat值。
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