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公开(公告)号：CN110033808B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201811446549.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。
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公开(公告)号：CN117636979A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311058578.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供操作存储器装置的方法、半导体装置和数据恢复方法。操作存储器装置的方法包括：利用读取电压从第一存储器块读取其中包含至少一个磨损存储器单元的存储器单元的第一页；以及利用读取电压读取在第一存储器块中邻近于第一页延伸的存储器单元的第二页。执行操作以确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置之间的匹配率。此后，当匹配率超过阈值匹配率时，通过调整施加至第一存储器块中的另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。
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公开(公告)号：CN117636972A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311051116.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、一种非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该存储装置包括：存储控制器，其被配置为发送命令和包括一个或多个比特的模式的编程数据；非易失性存储器装置，其被配置为接收命令和编程数据；以及模式监测电路，其被配置为监测从存储控制器发送的编程数据的模式。模式监测电路被配置为当编程数据包括重复预设次数或更多次的重复模式时，将异常状态检查比特发送至存储控制器，并且存储控制器被配置为响应于接收到异常状态检查比特而将编程数据重新发送至非易失性存储器装置。
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公开(公告)号：CN115729734A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210683097.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备及其操作方法，包括：存储控制器，被配置为从主机接收获取日志页命令并根据获取日志页命令向主机发送关于从多个组件的各上下文中选择的至少一个上下文的日志数据；以及存储器，存储日志数据，其中，获取日志页命令包括用于从多个组件中选择至少一个组件的选择信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664364A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111200412.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括多个非易失性存储器件、存储控制器电路和泄露检测电路。所述存储控制器电路控制多个非易失性存储器件，所述存储控制器电路包括多个连接端子，所述多个连接端子中的每一个经由多个连接节点中的对应的连接节点与包括在所述多个非易失性存储器件中的多个引脚中的对应的引脚集共同连接。包括在每个引脚集中的引脚具有相同的属性。所述泄露检测电路被配置为基于由连接到每个引脚集的连接节点生成的合并信号确定在每个引脚集处是否出现泄露，并且被配置为向所述存储控制器电路提供对确定结果加以指示的检测信号。
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公开(公告)号：CN113629047A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110495118.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L27/11502 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11585 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 提供了半导体封装和包括其的电子装置。该半导体封装包括：在基板上的半导体芯片；电压测量电路，配置为测量将输入到半导体芯片中的外部电压；以及热电模块，配置为将从半导体芯片释放的热量转变为辅助电力，并配置为将辅助电力施加到半导体芯片，热电模块与电压测量电路分开，其中电压测量电路配置为控制热电模块以响应于外部电压的变化而将辅助电力施加到半导体芯片。
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公开(公告)号：CN112086112B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010439690.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于检查结果，使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
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公开(公告)号：CN119376613A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410983408.9
申请日：2024-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了提供曝置温度的方法和存储装置。提供曝置温度的方法包括：产生指示曝置条件和保持值之间的关系的参考信息，其中，曝置条件包括非易失性存储器装置的曝置温度和曝置时间，并且保持值指示非易失性存储器装置的保持特性；在非易失性存储器装置断电时的断电时间点之前，执行监测编程操作以将监测数据写入到包括在非易失性存储器装置中的目标存储器单元中；在非易失性存储器装置通电时的通电时间点之后，通过执行监测读取操作以从目标存储器单元读取数据来产生测量的保持值；以及基于参考信息以及断电时间点和通电时间点之间的测量的曝置时间，估计与测量的保持值相对应的测量的曝置温度。
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