公开(公告)号：CN113629047A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110495118.6

申请日：2021-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李址华 ,  李庚德

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了半导体封装和包括其的电子装置。该半导体封装包括：在基板上的半导体芯片；电压测量电路，配置为测量将输入到半导体芯片中的外部电压；以及热电模块，配置为将从半导体芯片释放的热量转变为辅助电力，并配置为将辅助电力施加到半导体芯片，热电模块与电压测量电路分开，其中电压测量电路配置为控制热电模块以响应于外部电压的变化而将辅助电力施加到半导体芯片。

公开(公告)号：CN115525210A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210259765.1

申请日：2022-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李址华 ,  金有焕 ,  李庚德 ,  安浩圣

IPC: G06F3/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/16 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法、操作非易失性存储器装置的方法。存储设备包括控制器，控制器被配置为控制在其中具有多个存储块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，被配置为：(i)响应于从主机接收的安全擦除请求来控制对多个存储块的安全擦除操作，以及(ii)设置与多个存储块对应的标志，使得与已经经历了至少两次安全擦除操作的第一存储块对应的第一标志具有第一值。提供了自适应控制逻辑，其被配置为：响应于检测到第一标志具有第一值，改变与针对第一存储块的写入操作和/或读取操作相关联的至少一个操作条件。

公开(公告)号：CN117594106A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310910617.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千允洙 ,  李址华 ,  李庚德

IPC: G11C29/12 ,  G11C16/06 ,  G11C16/04 ,  G01K7/16

Abstract: 提供了一种存储装置和操作存储装置的方法。该存储装置包括：非易失性存储器，其用于存储数据；温度传感器，其具有根据温度传感器的温度而改变的电阻；以及温度测量电路，其包括多个晶体管，多个晶体管基于温度传感器的电流而导通或截止，并且具有彼此不同的阈值电压。温度测量电路可以被配置为向温度传感器施加电流，并且基于从多个晶体管获得的输出电流来产生指示温度传感器的温度或指示对温度传感器的损坏的信息。

公开(公告)号：CN115527590A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210253717.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李址华 ,  李庚德 ,  安浩圣

IPC: G11C16/14

Abstract: 提供了一种执行安全擦除的存储设备及其操作方法。存储设备可以包括控制器，控制器被配置为控制包括多个块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，安全擦除控制逻辑被配置为：控制对多个块的安全擦除操作，并且响应于来自主机的针对多个块之中的第一块的安全擦除请求来执行控制操作，使得基于第一块是否处于安全擦除状态和/或劣化状态中的至少一种的确定结果来确定是否要跳过对第一块的安全擦除操作。