公开(公告)号：CN117219144A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310031798.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  千允洙 ,  曹大铉

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了用于操作存储器装置的方法和存储器系统，所述方法包括：对第一操作执行第一设置操作；基于第一设置操作读取映射数据；以及对第二操作执行第二设置操作。

公开(公告)号：CN108695395A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810319491.4

申请日：2018-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑞仁 ,  金容顿 ,  禹先珠 ,  曹大铉

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66143 ,  H02M7/06 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种肖特基二极管包括：第一导电类型的导电层；设置在导电层中的第二导电类型的阱区；设置在导电层中的第一隔离区，其中第一隔离区与阱区间隔开；设置在导电层中的第二导电类型的第一结区，其中第一结区与第一隔离区相邻并与阱区间隔开；设置在导电层中的第一导电类型的第二结区，其中第二结区与第一隔离区相邻；以及肖特基电极，其覆盖对应于阱区与第一结区之间的导电层的上表面的肖特基结表面。

公开(公告)号：CN120010755A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411064138.8

申请日：2024-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹大铉 ,  李庚德 ,  千允洙

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件、包括该非易失性存储器件的存储装置以及该存储装置的操作方法。非易失性存储器件包括：数据引脚，被配置为输出数据信号；以及命令地址引脚，与数据引脚分离，命令地址引脚被配置为，接收与数据信号相对应的读取命令并在其中响应于读取命令通过数据引脚输出数据信号的数据输出操作期间输出噪声状态数据。

公开(公告)号：CN118119916A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280068621.6

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹大铉 ,  金佑映 ,  李元喜 ,  崔喜准

IPC: G06F3/0346 ,  G06F1/16 ,  G06F3/038 ,  G06F3/14 ,  G06F9/451

Abstract: 根据一个实施例，一种电子设备可以包括：第一壳体，包括第一表面和面向第一表面并与第一表面间隔开的第二表面；第二壳体，包括第三表面和面向第三表面并与第三表面间隔开的第四表面；折叠壳体，可枢转地连接第一壳体的侧表面和面向第一壳体的侧表面的第二壳体的侧表面；在第一壳体和第二壳体中的至少一个中的至少一个惯性传感器；第一显示器，跨折叠壳体设置在第一表面和第三表面上；第二显示器，设置在第二表面或第四表面上；以及至少一个处理器。