公开(公告)号：CN1432871A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02145838.3

申请日：2002-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基

IPC: G03F7/008 ,  G03F7/012 ,  G03F7/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。

公开(公告)号：CN1956224A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149848.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  周振豪

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管，其包括：基板；设置在该基板上的控制电极；设置在该控制电极上的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体件，其覆盖在所述控制电极上，并且包括第一部分非晶硅和第二部分多晶硅；接触该半导体件的输入电极；以及接触所述半导体件的输出电极。

公开(公告)号：CN1306336C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02145838.3

申请日：2002-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基

IPC: G03F7/008 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，5-100重量份的1，2-醌二叠氮化合物，2-35重量份的含氮交联剂，0.1-10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。

公开(公告)号：CN1296772C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN02150451.2

申请日：2002-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基 ,  李承昱 ,  姜勋

IPC: G03F7/012 ,  G03F7/038 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0236 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5%重量至约30%重量的聚合树脂、约2%重量至约10%重量的光敏化合物、约0.1%至约10%重量的灵敏度提高剂、约0.1%重量至约10%重量的灵敏度抑制剂和约60%重量至约90%重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物，然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物，形成光致抗蚀剂层。然后，通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来，通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。

公开(公告)号：CN1214279C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN99127834.8

申请日：1999-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李凤雨 ,  李寿元 ,  南孝学 ,  周振豪 ,  郑洙任 ,  朴弘植 ,  姜圣哲

IPC: G02F1/1337 ,  C08J11/04 ,  C09K19/38

CPC classification number: G02F1/133711

Abstract: 本发明涉及液晶排列材料的再生方法，其中与LCD液晶加工中原始液晶排列材料等效的再生液晶排列层可通过收集排列材料的废溶液而再生，该废溶液是在使用液晶排列材料的LCD制造过程中大量产生的。通过将排列材料的废溶液放入一种有机溶剂或超纯水中而固化聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺，液晶排列材料组分聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺不溶于该有机溶剂或超纯水中，从有机溶剂或者超纯水分离聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺，并将所分离的固体聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺溶解在一种溶剂中而做到这一点。用此方法再生液晶排列层材料能大大有助于降低生产成本。

公开(公告)号：CN1606714A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02825525.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东基 ,  姜圣哲 ,  李有京 ,  周振豪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0226

Abstract: 本发明涉及具有用于LCD生产方法的耐高温性的光致抗蚀剂组合物，且更具体地说，本发明涉及具有耐高温性的能够减少工艺的策略(一种方式)、工艺简化和节约费用的光致抗蚀剂组合物。本发明的组合物通过使跳过5步工艺成为可能而有利于这一特性，诸如形成金属薄膜的Cr金属沉积和整个金属表面的光/蚀刻/PR剥离/蚀刻步骤；通过用本发明的组合物取代常用的金属薄膜，使得TFT－LCD生产过程中的N+离子掺入可以因其耐高温性而进行。

公开(公告)号：CN1413317A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817711.2

申请日：2000-12-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  克拉里安特国际有限公司

Inventor： 朴弘植 ,  周振豪 ,  李有京 ,  姜圣哲 ,  吴世泰 ,  姜德万

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  C11D7/50

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/38 ,  G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明提供一种用于冲洗光致抗蚀剂的稀释剂，其包括50到80重量％的醋酸正丁酯，丙二醇烷基醚，和丙二醇烷基醚醋酸酯。该稀释剂既对人类无毒害，也不对生态带来不利影响，而且没有不适的气味。其废液和与之相关的废水容易处理，由此使得这种稀释剂对环境友好。本发明的光致抗蚀剂稀释剂具有优异的冲洗能力。