公开(公告)号：CN115117015A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210218637.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体装置，包括：栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；源极/漏极图案，其位于栅电极的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件和栅极结构上，第一蚀刻停止膜结构包括第一下蚀刻停止膜和位于第一下蚀刻停止膜上的氮化硅膜；以及第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部并且连接到源极/漏极接触件，其中，第一下蚀刻停止膜包括铝，并且其中，氮化硅膜的上表面与第一过孔插塞的上表面位于同一平面上。

公开(公告)号：CN106653851B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201610948671.X

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  闵宣基

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。