非易失性存储器件和从其读取信息的方法

    公开(公告)号:CN101174456B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN200710089843.3

    申请日:2007-04-05

    Inventor: 金镐正

    CPC classification number: G11C16/26 G11C16/24

    Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压控制器。所述存储单元阵列包括多个存储块,每个存储块包括多个单元串,其中,所述多个单元串的每一个包括第一选择晶体管、第二选择晶体管和在所述第一选择晶体管和第二选择晶体管之间串联的至少一个存储单元晶体管。所述电压控制器响应于对应于所述存储块的多个块选择信号而向连接到第一选择晶体管的第一选择线施加第一选择电压,向连接到第二选择晶体管的第二选择线施加第二选择电压,并且向连接到所述存储单元晶体管的字线施加字线电压。所述电压控制器通过在待机状态中向第二选择线施加第二选择线电压来将所述第二选择线预充电到预充电电压,其中,所述第二选择线电压等于所述预充电电压。

    非易失性逆变器
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107039453B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201610829023.2

    申请日:2016-09-18

    Abstract: 一种非易失性逆变器可以被配置为执行存储器功能。该非易失性逆变器可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管可以包括第一栅电极、第一电极以及第二电极。第二晶体管可以包括第二栅电极和第三电极,并且可以与第一晶体管共享第二电极。第一晶体管可以包括第一切换层和电荷俘获层。第一切换层可以被配置为在高电阻态与低电阻态之间进行切换。电荷复活层可以被配置为根据切换层的电阻状态来俘获或释放电荷。第一切换层可以包括P‑N二极管。第二晶体管可以包括第二栅切换层和电荷俘获层。

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