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公开(公告)号：CN104051410A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410089978.X
申请日：2014-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: G11C5/06 , G11C5/025 , H01L23/3128 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/06136 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311
Abstract: 一种半导体器件包括片上系统（SOC）和至少一个宽输入/输出存储器件。该SOC包括分别提供彼此独立的输入/输出通道的多个SOC凸块组。该至少一个宽输入/输出存储器件被堆叠在该片上系统上以通过所述SOC凸块组向/从该片上系统发送/接收数据。所述SOC凸块组被如此布置并且该至少一个宽输入/输出存储器件被如此配置，以使得所述宽输入/输出存储器件之一可以被安装到该SOC上以连接至所有SOC凸块组，或者使得两个宽输入/输出存储器件可以被安装到该SOC上，每个宽输入/输出存储器件分别连接至一半的SOC凸块组。
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公开(公告)号：CN103914405A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410006692.0
申请日：2014-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/10
CPC classification number: G06F12/1027 , G06F12/023 , G06F12/0813 , G06F12/1072 , G06F2212/306
Abstract: 本发明提供了包括存储管理单元（MMU）的片上系统及其存储地址转换方法。所述SoC包括：主知识产权（IP），被配置为输出与多个工作集合中的每一个工作集合相应的请求；包括多个存储管理单元（MMU）的MMU模块，每个MMU被分配用于工作集合中的一个并且被配置为将与所述请求相应的虚拟地址转换为物理地址；第一总线互连，被配置为将所述MMU模块与存储设备连接以及发送所述请求到所述存储设备，在多个MMU中的至少一个中已经对所述请求执行地址转换；以及第二总线互连，被配置为将所述主IP与所述MMU模块连接以及将所述MMU中的一个分配用于多个工作集合中的每一个工作集合。
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公开(公告)号：CN101087426A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710128808.8
申请日：2007-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N19/433 , H04N19/16 , H04N19/169 , H04N19/44 , H04N19/46
Abstract: 一种视频解码器将参考图像的像素行组织和存储到第一和第二存储器设备。然后视频解码器从第一和第二存储器设备中读取像素块的部分并且处理这个像素块用于产生后续图像。通过从第一和第二存储器设备读取的时间重叠，对于快速视频解码的等待时间被最小化。
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公开(公告)号：CN101001369A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710000354.6
申请日：2007-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N19/433 , H04N19/423 , H04N19/44 , H04N19/61
Abstract: 本发明提供了一种以像素为单位交替地存储画面的行的用于对视频解码的方法和设备以及一种存储参考画面的方法，其中，该设备包括：存储器，将画面的M行存储在N个交错行内，其中，M为自然数，N为小于M的自然数；解码器，通过接收所述交错行对画面解码，其中，来自M行中的部分行的像素数据交替地存储在各交错行内。采用这种用于对视频解码的方法和设备以及这种存储参考画面的方法，可提高解码速度，并且可缩短在对视频解码期间的等待时间且可减小带宽。
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公开(公告)号：CN1574954A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410064079.0
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/01
CPC classification number: H04N7/012 , H04N7/0137 , H04N7/0142
Abstract: 在扫描转换装置中，根据至少两种不同技术中的一种，执行隔行扫描到逐行扫描的转换。根据被转换的隔行扫描数据来使用该技术。例如，空间内插技术，空间/时间内插技术，或其它技术可以被选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035210A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411090832.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/528 , H10D84/03
Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，所述衬底包括背面；鳍型有源区，所述鳍型有源区从所述衬底突出，以在所述衬底上限定沟槽区；器件隔离层，所述器件隔离层在所述沟槽区中覆盖所述鳍型有源区中的每一个鳍型有源区的侧壁；通孔电源轨，所述通孔电源轨在所述鳍型有源区之间垂直延伸穿过所述器件隔离层；以及背面电源轨，所述背面电源轨垂直延伸穿过所述衬底并且连接到所述通孔电源轨的一端，其中所述通孔电源轨包括连接到所述背面电源轨的第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，并且其中所述第一部分的两个侧壁各自包括倾斜表面，所述倾斜表面倾斜以便随着所述两个侧壁接近所述背面电源轨而更靠近所述成对的鳍型有源区。
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公开(公告)号：CN119947236A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411555568.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道结构；在沟道结构上的栅极结构；在沟道结构上的第一源极/漏极区；在栅极结构下方的衬底层；在衬底层下方的第一蚀刻停止层；背侧间隔物，在衬底层和第一蚀刻停止层的侧表面上；以及背侧接触结构，在第一源极/漏极区的底表面和背侧间隔物的侧表面上。
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公开(公告)号：CN104051410B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201410089978.X
申请日：2014-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: G11C5/06 , G11C5/025 , H01L23/3128 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/06136 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311
Abstract: 一种半导体器件包括片上系统（SOC）和至少一个宽输入/输出存储器件。该SOC包括分别提供彼此独立的输入/输出通道的多个SOC凸块组。该至少一个宽输入/输出存储器件被堆叠在该片上系统上以通过所述SOC凸块组向/从该片上系统发送/接收数据。所述SOC凸块组被如此布置并且该至少一个宽输入/输出存储器件被如此配置，以使得所述宽输入/输出存储器件之一可以被安装到该SOC上以连接至所有SOC凸块组，或者使得两个宽输入/输出存储器件可以被安装到该SOC上，每个宽输入/输出存储器件分别连接至一半的SOC凸块组。
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公开(公告)号：CN1496127A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03160265.7
申请日：2003-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M7/425
Abstract: 提供了一种用于译码可变长度编码的装置和方法，其中用户可以设置一可变长度译码表。所述装置包括预译码单元、移位器、第一到第M个查找表地址寄存器、选择器、存储器控制器、存储器和存储器搜索器。为了以3位为单元译码可变长度编码数据位流，可以根据所述可变长度编码表预备一个LOC信息表。该LOC信息表包括LOC信息位和节点类型。用于每一节点类型的LOC信息位使用四种格式A、B、C和D来表示，以表示在3位译码期间产生的分支的特性，格式A、B、C和D中的每一个都具有2位数字值。所述预译码单元包括第一预译码器和第二预译码器。根据输入数据位流的编码特性选择第一预译码器和第二预译码器中的一个。
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