公开(公告)号：CN113744775A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110041714.7

申请日：2021-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  金南亨 ,  金大正 ,  金度翰 ,  徐德浩 ,  申院济 ,  庾庸准 ,  李昌珉 ,  崔仁寿

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/06 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储器模块。所述存储器装置包括与多个存储器存储体通信的外围电路。所述多个存储体中的每个包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；行解码器，通过多条字线与所述多个存储器单元连接；位线感测放大器，通过包括第一位线和第二位线的多条位线与所述多个存储器单元连接；和列解码器，被配置为将位线感测放大器与外围电路连接。存储器单元阵列包括：与第一位线连接的第一区段以及与第二位线连接的第二区段，并且第一区段和第二区段针对与行相关的错误彼此独立。

公开(公告)号：CN111090387A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910952640.5

申请日：2019-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  高兑京 ,  金大正 ,  金度翰 ,  金成峻 ,  申院济 ,  李光熙 ,  李昌珉 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。