公开(公告)号：CN117641937A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310461439.3

申请日：2023-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金恩娥

IPC: H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案；栅极结构，其位于所述有源图案上；位线结构，其电连接到所述有源图案；存储节点接触，其电连接到所述有源图案；以及着陆焊盘，其电连接到所述存储节点接触，其中，所述着陆焊盘包括：第一焊盘平坦侧壁和第二焊盘平坦侧壁，其彼此相反；第三焊盘平坦侧壁，其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第二焊盘平坦侧壁之间；第四焊盘平坦侧壁，其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第二焊盘平坦侧壁之间；第一焊盘弯曲侧壁，其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第三焊盘平坦侧壁之间；以及第二焊盘弯曲侧壁，其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第四焊盘平坦侧壁之间。

公开(公告)号：CN108766969B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810329924.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  张世明 ,  黄有商

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/30

Abstract: 本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；形成封闭至少空隙的入口的第一牺牲层；形成覆盖位线封盖图案的侧壁且具有与第一间隔物的顶部表面接触的底部表面的第二间隔物；以及移除第一牺牲层。位线封盖图案在位线上。接触塞包含暴露于顶部表面上的空隙。

公开(公告)号：CN110504267A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910417483.8

申请日：2019-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金根楠 ,  金恩娥 ,  金恩靓 ,  沈正燮

IPC: H01L27/108 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。

公开(公告)号：CN108766969A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810329924.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  张世明 ,  黄有商

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；形成封闭至少空隙的入口的第一牺牲层；形成覆盖位线封盖图案的侧壁且具有与第一间隔物的顶部表面接触的底部表面的第二间隔物；以及移除第一牺牲层。位线封盖图案在位线上。接触塞包含暴露于顶部表面上的空隙。

公开(公告)号：CN107706179A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710673839.5

申请日：2017-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金熙中 ,  金根楠 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/764 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/10805

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。

公开(公告)号：CN103311264A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310072970.8

申请日：2013-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  高升必 ,  金容准 ,  金恩靓

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L45/00 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体层，在基板上且在第一方向上延伸；多个第二半导体层，在第一半导体层上且在第一方向上间隔开；以及绝缘层结构，围绕第一半导体层的侧壁和多个第二半导体层的侧壁。第一半导体层可以具有第一导电类型，多个第二半导体层可以具有第二导电类型。