公开(公告)号：CN1750168A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510092762.X

申请日：2005-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢振瑞 ,  金泰完 ,  金洪奭 ,  金恩植

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。

公开(公告)号：CN1574068A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310118841.4

申请日：2003-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩植 ,  金庸洙

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了一种高密度磁阻存储器及其制造方法。该磁阻存储器包括：存储信息的存储单元；导线，与该存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；以及至少一个磁通量聚集岛(FCI)，位于该导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到该存储单元上。磁通量被聚集到该存储单元上，以减少所需的电流并提高了选择率，从而形成一个高密度且高度集成化的存储单元。