公开(公告)号：CN106098772A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610269149.9

申请日：2016-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明一 ,  金伦楷 ,  李炳赞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括位于第一有源区上的第一图案、位于第二有源区上的第二图案以及位于第三有源区上的第三图案。第一图案以与第一有源区与第二有源区之间的第一凹进的宽度相对应的第一间隔从第二图案间隔开。第二图案以与第二有源区与第三有源区之间的第二凹进的宽度相对应的第二间隔从第三图案分隔开。第一图案、第二图案和第三图案包括栅极图案，第一凹进和第二凹进包括其导电类型不同于有源区的半导体材料。一个凹进中的半导体材料延伸高于另一凹进中的半导体材料。第一图案、第二图案和第三图案具有相同的宽度，第一凹进和第二凹进具有不同的深度。

公开(公告)号：CN103178045A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210413820.4

申请日：2012-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙星镐 ,  金伦楷 ,  姜洪成 ,  李润锡 ,  熊俊杰

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：衬底上的栅极结构，该栅极结构包括第一金属；绝缘中间层，覆盖衬底上的栅极结构；绝缘中间层中的电阻图案，该电阻图案具有比绝缘中间层的顶表面低的顶表面并且至少在其上部包括不同于第一金属的第二金属；和/或穿过绝缘中间层的第一部分的第一接触插塞，该第一接触插塞与电阻图案的上部直接接触。

公开(公告)号：CN1599028A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410084949.0

申请日：2004-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李京泰 ,  柳圣浩

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 一种使用金属镶嵌工艺制造MIM电容器和互连结构的方法。可以以相同的深度形成MIM电容器和第一互连结构。