公开(公告)号：CN103178045A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210413820.4

申请日：2012-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙星镐 ,  金伦楷 ,  姜洪成 ,  李润锡 ,  熊俊杰

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：衬底上的栅极结构，该栅极结构包括第一金属；绝缘中间层，覆盖衬底上的栅极结构；绝缘中间层中的电阻图案，该电阻图案具有比绝缘中间层的顶表面低的顶表面并且至少在其上部包括不同于第一金属的第二金属；和/或穿过绝缘中间层的第一部分的第一接触插塞，该第一接触插塞与电阻图案的上部直接接触。