运行虚拟机的系统、操作其的方法、介质和存储器件

    公开(公告)号:CN113672430A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110270073.2

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 提供了运行虚拟机的系统、操作其的方法、介质和存储器件。一种操作运行虚拟机的系统的方法,所述虚拟机执行应用和操作系统(OS),所述方法包括:执行从第一虚拟地址到第一物理地址的第一地址转换;识别所述第一物理地址当中的故障物理地址,每个故障物理地址对应于与故障存储单元相关联的相应第一物理地址;分析每个故障物理地址的行地址和列地址,并且基于对每个故障物理地址的所述行地址和所述列地址的分析,指定所述故障物理地址的故障类型;和基于故障地址,执行从第二虚拟地址到第二物理地址的第二地址转换,从而从所述第二物理地址中排除所述故障地址。

    基于运动的电子设备控制装置和方法

    公开(公告)号:CN1530801A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:CN200410039632.5

    申请日:2004-03-12

    CPC classification number: G06F3/03545

    Abstract: 本发明涉及一种具有适用于检测该装置体的至少一个运动的运动检测单元的装置。数据存储单元提供来存储用于被控设备的命令代码和有关该装置至少一个特定运动的信息。发送单元将数据发送到被控设备。控制单元获得来自从运动检测单元检测的电信号的信息。该单元还控制发送单元,使得如果该运动对应于特定运动,则将相应的命令代码输出到被控设备。

    具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1216400A

    公开(公告)日:1999-05-12

    申请号:CN98106080.3

    申请日:1998-03-09

    Inventor: 金东润 白载鹤

    CPC classification number: H01L21/76838 H01L21/32137

    Abstract: 具有由掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法。按照本制造方法,在半导体衬底上形成具有接触孔的内绝缘层图形,在内绝缘层图形的整个表面形成掺杂多晶硅层以填充接触孔。在供给含碳气体和含氧气体的情况下,对掺杂多晶硅层进行平面刻蚀,以阻止深刻蚀多晶硅层的去除和碳原子层的建立。在深刻蚀多晶硅层上形成金属硅化物层,然后对金属硅化物层和深刻蚀多晶硅层顺序图形化以形成互连。

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