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公开(公告)号：CN1216400A
公开(公告)日：1999-05-12
申请号：CN98106080.3
申请日：1998-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/32137
Abstract: 具有由掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法。按照本制造方法,在半导体衬底上形成具有接触孔的内绝缘层图形,在内绝缘层图形的整个表面形成掺杂多晶硅层以填充接触孔。在供给含碳气体和含氧气体的情况下,对掺杂多晶硅层进行平面刻蚀,以阻止深刻蚀多晶硅层的去除和碳原子层的建立。在深刻蚀多晶硅层上形成金属硅化物层,然后对金属硅化物层和深刻蚀多晶硅层顺序图形化以形成互连。
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