公开(公告)号：CN115410619A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210531918.3

申请日：2022-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻 ,  赵诚珍

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/406

Abstract: 一种控制行锤击的方法：在表示在行锤击监测时间范围内所访问的地址条目与访问数量之间的相关性的地址表中，将第一地址条目与具有最少的第二访问数量的第二地址条目进行交换，以及将所述第一地址条目与具有不是最大值的第三访问数量的第三地址条目随机地进行交换，从而防止黑客模式行锤击攻击被容易地执行。

公开(公告)号：CN107393596B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201710281643.1

申请日：2017-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相彦 ,  郑会柱 ,  柳睿信 ,  赵诚珍

IPC: G11C29/42

Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、控制逻辑电路以及纠错电路。控制逻辑电路通过对命令进行解码来生成控制信号。在半导体存储设备的写模式中，控制逻辑电路控制纠错电路从所选择的子页读取第一单元数据，并且在通过对第一单元数据执行纠错码解码来生成校验子数据时基于第一子单元数据和第二子单元数据之一以及将被写入到子页中的主数据来生成第一奇偶校验数据。当第一子单元数据包括至少一个错误位时，纠错电路基于与主数据相关联的数据掩码信号来有选择地修改第一奇偶校验数据。

公开(公告)号：CN108121617A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711096816.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛薰 ,  车相彦 ,  柳睿信 ,  赵诚珍

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/04 ,  G11C29/42

CPC classification number: H03M13/2906 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1076 ,  H03M13/09 ,  H03M13/13 ,  G06F11/1012 ,  G11C29/04 ,  G11C29/42 ,  G11C2029/0411

Abstract: 存储器模块包括数据存储器和至少一个奇偶校验存储器。每个数据存储器包括具有第一存储区域和第二存储区域的第一存储单元阵列，其中，第一存储区域用于存储对应于多个突发长度的数据集，而第二存储区域用于存储用来执行与数据集相关联的错误检测/校正的第一奇偶校验位。至少一个奇偶校验存储器包括具有第一奇偶校验区域和第二奇偶校验区域的第二存储单元阵列，其中，第一奇偶校验区域用于存储与对应于存储在每个数据存储器中的所有数据集的用户数据集相关联的第三奇偶校验位，而第二奇偶校验区域用于存储用于与第三奇偶校验位相关联的错误检测/校正的第二奇偶校验位。