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公开(公告)号：CN101178936A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710199952.0
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵志虎
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种用于非易失性半导体存储器设备的译码器，包括：电平移位器，其被配置为响应全局字线的第一状态在其输出端产生负的第一电压，并且响应全局字线的第二状态产生比第一电压更大的正的第二电压。所述译码器还包括具有耦接到电平移位器的输出端的输入端的局部字线驱动器，该局部字线驱动器被配置为在电平移位器的输出端为第一电压时向局部字线施加部分字线上的电压，并且在电平移位器的输出端为第二电压时向局部字线施加第一电压。
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公开(公告)号：CN101174460A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710167215.2
申请日：2007-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵志虎
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种用于非易失性存储器的解码器，包括电平移动器，该电平移动器配置用于：响应于全局字线的第一状态而在其输出处产生第一电压，以及响应于全局字线的第二状态而在其输出处产生第二电压。该解码器还包括多个局部字线驱动器，其中的每个都具有与电平移动器的输出相耦合的输入，各个局部字线驱动器配置用于：当电平移动器的输出处于第一电压时，响应于各个部分字线上的电压来驱动各个局部字线；当电平移动器的输出处于第二电压时，将各个局部字线驱动至公共电压。全局字线的第一状态可以在电平移动器的输入处产生第三电压，全局字线的第二状态可以在电平移动器的输入处产生第四电压，以及该第一和第二电压可以具有相反的极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101022038A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005935.9
申请日：2007-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵志虎
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C7/1027 , G11C7/1051 , G11C7/106
Abstract: 提供一种半导体存储器件，其实施消除在系统上的中断负荷的突发读取操作。所述存储器件包括：存储单元阵列、读出放大器、锁存电路以及突发模式控制单元。所述读出放大器被配置成依次读出并放大存储在所述存储单元阵列中的数据。所述锁存电路被配置成响应于转储信号而锁存所述读出放大器组的读出的数据并输出该读出的数据。所述突发模式控制单元被配置成从突发起始地址检测包含在所述读出的数据中的无效数据的长度，并根据该检测结果来控制生成转储信号的时间点，从而仅仅依次输出所述读出的数据中的有效数据。
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公开(公告)号：CN109979511B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811609370.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法。一种操作存储器装置的方法包括：响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对其中包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作。然后，对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作。该软编程操作之后跟随着擦除所述多个子块内的选择的子块的操作。该擦除选择的子块的操作可包括：向存储器块在其上延伸的基底的体区域提供擦除电压，所述至少一个牺牲子块可被设置在选择的子块与基底之间。
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公开(公告)号：CN108630275B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201711419411.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
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公开(公告)号：CN108122582B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201711223276.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
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公开(公告)号：CN101174460B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710167215.2
申请日：2007-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵志虎
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种用于非易失性存储器的解码器，包括电平移动器，该电平移动器配置用于：响应于全局字线的第一状态而在其输出处产生第一电压，以及响应于全局字线的第二状态而在其输出处产生第二电压。该解码器还包括多个局部字线驱动器，其中的每个都具有与电平移动器的输出相耦合的输入，各个局部字线驱动器配置用于：当电平移动器的输出处于第一电压时，响应于各个部分字线上的电压来驱动各个局部字线；当电平移动器的输出处于第二电压时，将各个局部字线驱动至公共电压。全局字线的第一状态可以在电平移动器的输入处产生第三电压，全局字线的第二状态可以在电平移动器的输入处产生第四电压，以及该第一和第二电压可以具有相反的极性。
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