有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101212851A

    公开(公告)日:2008-07-02

    申请号:CN200710154080.6

    申请日:2007-09-13

    Inventor: 许宗茂

    Abstract: 本发明提供了一种有机发光装置及其制造方法,该有机发光装置包括:基底;第一信号线和第二信号线,形成在基底上;开关薄膜晶体管(TFT),连接到第一信号线和第二信号线,并包括第一半导体;驱动TFT,包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极,其中,蚀刻停止件形成在第二半导体上,驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对,驱动控制电极连接到开关TFT并与第二半导体叠置;第一电极,连接到驱动输出电极;第二电极,与第一电极相对;有机发光构件,其中,蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于一条直线对称。

    包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法

    公开(公告)号:CN1578551A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410007734.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括:一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极电极,形成在一衬底上方;一绝缘层,形成在该栅极电极上方;一第一半导体图形,形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方,而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方,而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。

    具有提高的亮度的显示装置

    公开(公告)号:CN101431095A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810174049.3

    申请日:2006-09-25

    CPC classification number: H01L27/3276

    Abstract: 本发明涉及一种具有提高的亮度的显示装置,其具有显示区和非显示区且包括:多条电源线;电压供应单元,具有在所述非显示区中沿第一方向延伸的第一子部分和多个第二子部分,所述多个第二子部分连接至所述非显示区内的所述第一子部分并且电连接至所述电源线;形成于电压供应单元内的接触孔;以及通过所述接触孔连接所述电源线和电源焊盘的桥接电极。

Patent Agency Ranking