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公开(公告)号：CN116263943A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210730538.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
Abstract: 公开图像修复方法和设备以及电子装置。所述方法包括：通过对突发图像集的单独图像进行编码，生成与单独图像对应的多个特征表示；从所述多个特征表示之中确定参考特征表示；确定包括参考特征表示和所述多个特征表示中的第一特征表示的第一比较对；基于参考特征表示与第一特征表示的相似性分数图，生成第一比较对的第一运动嵌入特征表示；通过将包括第一运动嵌入特征表示的多个运动嵌入特征表示进行融合生成融合结果；以及通过解码融合结果生成至少一个修复图像。
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公开(公告)号：CN115910991A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210361368.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。
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公开(公告)号：CN115810591A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210501876.9
申请日：2022-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。
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公开(公告)号：CN101097292A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710078883.8
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
CPC classification number: H01S5/06825 , H01S5/0683
Abstract: 提供一种激光扫描装置和包括该激光扫描装置的成像装置。该激光扫描装置包括：激光二极管(LD)驱动器，用于控制提供给激光二极管(LD)的驱动信号；和电源单元，用于将从偏置电源提供的电流延迟预定时间段，以去除冲击电流后再传输给LD驱动器。在这种情况下，激光扫描装置还包括：磁环，用于滤除从LD驱动器提供给激光二极管(LD)的驱动信号中的冲击电流；和二极管，与激光二极管(LD)并联，用于将从接地端口流出的反向冲击电流引导向LD驱动器。因此，可防止冲击电流损坏激光二极管(LD)。
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公开(公告)号：CN1896885A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105884.2
申请日：2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
IPC: G03G15/04
CPC classification number: H04N1/40037 , H04N1/4005
Abstract: 本发明提供了一种光扫描器件及其方法。该光扫描器件在用于控制图像形成设备的控制器的控制之下，并且包括第二S&H信号发生器、光输出部分和光输出控制器。该第二S&H信号发生器产生多个第二S&H信号，每个第二S&H信号包括取样间隔和保持间隔，并且是利用由控制器提供的第一S&H信号产生的。光输出部分输出多个光，光输出控制器控制光输出部分在多个第二S&H信号的各个取样间隔产生多个光，并根据所产生的光的强度设置控制信号值，用于控制在多个第二S&H信号的保持间隔要保持的光的强度。从而，简化了部件之间的接口的标准化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1862409A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610004554.4
申请日：2006-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
IPC: G03G15/043 , G03G15/00
CPC classification number: H01S5/0683 , H04N1/40037
Abstract: 一种控制图像形成设备中的激光束的发射的设备和方法。该方法包括产生与正常模式和色粉节省模式对应的第一参考电压和第二参考电压，以切换方式提供与模式选择信号对应的第一参考电压和第二参考电压之一，产生第一控制电压和第二控制电压来控制激光束的发射，和向激光二极管提供与所产生的第一和第二控制电压之一对应的驱动电流，以根据选择模式而控制激光束的强度。
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公开(公告)号：CN119890176A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410942798.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体芯片和半导体封装。半导体芯片包括：基板；堆叠在基板上的第一层间绝缘层、多孔绝缘层和第二层间绝缘层；下焊盘，在第二层间绝缘层上并且在垂直方向上具有第一厚度；第三层间绝缘层和第四层间绝缘层，堆叠在下焊盘和第二层间绝缘层上；上焊盘，在第四层间绝缘层上并且在垂直方向上具有大于第一厚度的第二厚度；以及通路结构，在第四层间绝缘层和第三层间绝缘层中并且电连接下焊盘和上焊盘。每个通路结构包括在第三层间绝缘层中的第一通路和在第四层间绝缘层中并在垂直方向上与第一通路重叠的第二通路。
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公开(公告)号：CN119560484A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411225993.2
申请日：2024-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的半导体封装。该半导体器件包括：在器件区上的包括下互连的互连区；在互连区上的绝缘结构；在绝缘结构中的下导电图案；将下导电图案电连接到下互连的第一导电通路；在绝缘结构上的上导电图案；以及第二导电通路，在绝缘结构中并将上导电图案电连接到下导电图案。第二导电通路包括第二金属层和第二阻挡层，并且上导电图案包括从第二阻挡层延伸并在绝缘结构的上表面的一部分上的第三阻挡层、在第三阻挡层上并从第二金属层延伸的第三金属层、在第三金属层上的上金属层、以及在上金属层上的上抗反射层。
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公开(公告)号：CN118943118A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410559671.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装包括：基底芯片，包括在第一水平方向和与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的顶表面；半导体芯片堆叠，包括在垂直方向上顺序堆叠在基底芯片上并在垂直方向上在相应侧对齐的第一半导体芯片和第二半导体芯片；穿透基底芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第一贯通路；穿透第一半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第二贯通路；穿透第二半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第三贯通路；接触第一贯通路的第一连接焊盘；接触第二贯通路的第二连接焊盘；以及接触第三贯通路的第三连接焊盘。
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公开(公告)号：CN118738021A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410326432.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L25/16
Abstract: 提供一种半导体装置和一种半导体封装件。该半导体装置包括：半导体衬底上的绝缘结构；绝缘结构中的下导电图案；绝缘结构上的上导电图案；绝缘结构中的导电过孔件，导电过孔件将上导电图案中的至少一个连接到下导电图案中的至少一个；覆盖绝缘结构和上导电图案的保护层；覆盖保护层的蚀刻停止层；在蚀刻停止层的位于上导电图案之间的部分上的第一钝化层；以及第一钝化层上的上钝化层。
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