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公开(公告)号：CN119560484A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411225993.2
申请日：2024-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的半导体封装。该半导体器件包括：在器件区上的包括下互连的互连区；在互连区上的绝缘结构；在绝缘结构中的下导电图案；将下导电图案电连接到下互连的第一导电通路；在绝缘结构上的上导电图案；以及第二导电通路，在绝缘结构中并将上导电图案电连接到下导电图案。第二导电通路包括第二金属层和第二阻挡层，并且上导电图案包括从第二阻挡层延伸并在绝缘结构的上表面的一部分上的第三阻挡层、在第三阻挡层上并从第二金属层延伸的第三金属层、在第三金属层上的上金属层、以及在上金属层上的上抗反射层。
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