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公开(公告)号：CN108987566B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810557716.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和逻辑区域；在存储单元区域上的可变电阻存储器件；在逻辑区域上的逻辑器件；第一水平位线，其在存储单元区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到可变电阻存储器件；第二水平位线，其在逻辑区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到逻辑器件；以及垂直位线，其电连接到第一水平位线和第二水平位线并垂直于衬底的表面延伸。
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公开(公告)号：CN113346008A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110189862.3
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 嵌入式器件包括：第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在第一区域中的第一绝缘层中的下电极接触；第一结构，在第二绝缘层中并接触下电极接触，第一结构具有下电极、磁隧道结和上部电极；第一金属布线结构，穿过在第二区域中的第一和第二绝缘层；在第二绝缘层上的第三绝缘层；位线结构，穿过在第一区域中的第三绝缘层和第二绝缘层，位线结构具有第一高度并接触上电极；以及第二金属布线结构，穿过在第二区域中的第三绝缘层，第二金属布线结构接触第一金属布线结构并具有低于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN109037433A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810586433.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
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公开(公告)号：CN111211220B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN201910863772.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730251A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410554380.7
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围区域；第一下绝缘层，设置在单元区域上并延伸到外围区域上；第二下绝缘层，设置在单元区域上的第一下绝缘层上并延伸到外围区域上的第一下绝缘层上；数据存储图案，设置在单元区域上的第二下绝缘层上；单元绝缘层，设置在单元区域上的第二下绝缘层上并覆盖数据存储图案；以及外围绝缘层，设置在外围区域上的第二下绝缘层上并且包括与单元绝缘层不同的材料。外围区域上的第二下绝缘层的厚度小于单元区域上的第二下绝缘层的最大厚度。
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公开(公告)号：CN119497395A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410884322.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；数据存储图案，在基板上并在彼此交叉且平行于基板的顶表面的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，在数据存储图案上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；单元通路接触，在第一方向上彼此间隔开并设置在一对第一单元导电线之间；虚设数据存储图案，在所述一对第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开并设置在单元通路接触之间；以及上导电线，在单元通路接触上并分别电连接到单元通路接触。
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公开(公告)号：CN119012710A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410017982.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：衬底，在所述衬底中限定了单元区域和外围区域；多导线层，所述多导线层设置在所述单元区域和所述外围区域上并且包括多层的金属导线；以及信息存储层，所述信息存储层包括以二维阵列结构布置在所述单元区域的所述多导线层上的多个信息存储装置，其中，布置在所述外围区域的所述多导线层的最上部中的第一金属导线位于比布置在所述单元区域的所述多导线层的最上部中的第二金属导线的高度低的高度。
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公开(公告)号：CN118674058A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410261390.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06N7/08
Abstract: 公开了一种包括混沌逻辑装置的混沌计算机的操作方法、一种利用自旋孤立子的混沌计算方法和一种混沌计算机。该操作方法包括：基于对应于第一逻辑运算的第一初始状态设置第一初始值；将设置的第一初始值施加到混沌逻辑装置；基于第一输入数据设置要施加到混沌逻辑装置的第一输入值；将第一输入值施加至混沌逻辑装置；产生混沌信号，以使混沌逻辑装置在混沌模式下操作；将混沌信号施加到混沌逻辑装置；测量来自基于第一输入值和混沌信号操作的混沌逻辑装置的第一输出值；以及基于第一输出值产生第一输出数据。混沌逻辑装置包括被配置为其中形成有自旋孤立子的磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN112510145B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010939718.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：在基板上的磁隧道结图案；第一导电图案，在基板和磁隧道结图案之间；下接触插塞，在第一导电图案和基板之间并设置在磁隧道结图案的相应侧；以及分别在下接触插塞上的第二导电图案。第二导电图案将下接触插塞连接到第一导电图案。第二导电图案包括铁磁材料。
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