公开(公告)号：CN117956785A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310834329.7

申请日：2023-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  权炳昊 ,  金成垠 ,  金守情 ,  朴钟爀 ,  尹一永 ,  张祐赫 ,  周炳秀

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开涉及半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底中的芯片区域；在所述衬底中的划片道区域；在所述芯片区域中的第一有源图案；在所述第一有源图案上的第一器件隔离图案；在所述划片道区域中的第二有源图案；以及在所述第二有源图案上的第二器件隔离图案。所述划片道区域与所述芯片区域相邻。所述第一器件隔离图案包括第一器件隔离材料，并且所述第二器件隔离图案包括第二器件隔离材料。所述第二器件隔离材料不同于所述第一器件隔离材料。

公开(公告)号：CN110444474A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910278642.0

申请日：2019-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  朴钟爀 ,  裵珍宇 ,  申忠燮 ,  吴孝真 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  全喜淑

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/306

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，设计图案从衬底突出；在衬底上形成填充层，其中，填充层至少部分地覆盖设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。