公开(公告)号：CN109256370B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810762262.X

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  朴钟爀 ,  申忠燮 ,  吴孝真 ,  尹普彦 ,  尹一永

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板，包括单元阵列区域和TSV区域；绝缘层，设置在基板上并在TSV区域上具有凹陷区域；电容器，在单元阵列区域的绝缘层上；虚设支撑图案，设置在TSV区域的绝缘层上并且当在平面图中看时与凹陷区域交叠；以及TSV电极，穿过虚设支撑图案和基板。

公开(公告)号：CN110444474A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910278642.0

申请日：2019-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  朴钟爀 ,  裵珍宇 ,  申忠燮 ,  吴孝真 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  全喜淑

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/306

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，设计图案从衬底突出；在衬底上形成填充层，其中，填充层至少部分地覆盖设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。

公开(公告)号：CN109256370A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810762262.X

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  朴钟爀 ,  申忠燮 ,  吴孝真 ,  尹普彦 ,  尹一永

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板，包括单元阵列区域和TSV区域；绝缘层，设置在基板上并在TSV区域上具有凹陷区域；电容器，在单元阵列区域的绝缘层上；虚设支撑图案，设置在TSV区域的绝缘层上并且当在平面图中看时与凹陷区域交叠；以及TSV电极，穿过虚设支撑图案和基板。