公开(公告)号：CN109698214A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811240519.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋时虎 ,  朴日穆 ,  李广宇 ,  权世甲

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底、所述衬底上的第一电极、所述衬底上的第二电极、所述第一电极与所述第二电极之间的选择元件层、以及接触所述第一电极和所述第二电极中的任何一个电极的存储层。所述第一电极在第一方向上具有第一宽度。所述第二电极在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一电极间隔开。所述第二电极在所述第一方向上具有第二宽度。所述选择元件层包括接触所述第一电极的第一掺杂层。所述第一掺杂层包括第一浓度的杂质。所述选择元件层包括接触所述第二电极的第二掺杂层。所述第二掺杂层包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述杂质。

公开(公告)号：CN109148508A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810152082.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋苏智 ,  金成元 ,  朴日穆 ,  朴钟撤 ,  郑智贤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/2481 ,  G11C11/161 ,  G11C13/0002 ,  H01L27/222 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。

公开(公告)号：CN108695433A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810287765.6

申请日：2018-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴日穆

IPC: H01L45/00

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第一字线的方向交叉并且与第一字线隔开。模制膜填充第一字线与第一位线之间的空间。第一存储单元在模制膜中并且在第一字线与第一位线之间。第一存储单元包括在第一字线上的第一下电极、在第一下电极上的第一相变膜、在第一相变膜上的第一中间电极、在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。

公开(公告)号：CN106992196A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710010507.9

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴日穆

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/2463

Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括第一和第二导线以及在第一和第二导线之间的可变电阻材料和开关元件。该开关元件包括分别在不同的第一和第二方向上延伸和/或面对不同的第一和第二方向的第一和第二部分。还提供了制造可变电阻存储器件的方法。