公开(公告)号：CN113260828B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201980087676.X

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容宰 ,  曹圭镐 ,  尹傃玲 ,  李文根 ,  洪周焕

IPC: F25D29/00 ,  G06F3/01 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/16

Abstract: 提供了一种家用电器及其控制方法。该家用电器包括显示器、检测门被打开还是关闭的传感器、以及至少一个处理器，该至少一个处理器配置为：控制显示器显示一个或更多个对象；以及基于由传感器感测门的打开或关闭中的至少一个，向所述一个或更多个对象提供视觉反馈。

公开(公告)号：CN113964269A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111189869.1

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN110931467A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910777718.4

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  曹圭镐 ,  金恩善 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

公开(公告)号：CN109841622A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810936865.7

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟泛

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。