公开(公告)号：CN101022120A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610164044.3

申请日：2006-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  李殷洪 ,  卢振瑞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 提供一种用于由阈值电压控制的相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及在编程期间控制编程脉冲的后沿，从而控制硫族化合物材料的淬火速度，以便调整硫族化合物材料的阈值电压。因此，与逻辑低或逻辑高相对应的编程脉冲能够具有均匀的幅度，而不管相应的逻辑电平为何。结果，PRAM器件的可靠性能够得到提高。

公开(公告)号：CN1825613A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005737.8

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  李相睦 ,  卢振瑞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。

公开(公告)号：CN1812118A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510126630.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩 ,  赵郁廉 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供一种包括具有相变纳米颗粒的相变材料层的相变存储器及其制造方法。相变存储器可包括：相互面对的第一电极和第二电极；插入在第一电极和第二电极之间的含有相变纳米颗粒的相变材料层；以及电连接到第一电极的开关器件。