公开(公告)号：CN1264128A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00102790.5

申请日：2000-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔钟贤 ,  徐东一 ,  罗钟植

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40622

Abstract: 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器(DRAM),包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行,从而使功率损耗最小。

公开(公告)号：CN1053143A

公开(公告)日：1991-07-17

申请号：CN90106779.2

申请日：1990-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔動 ,  徐东一

IPC: G11C8/02

CPC classification number: G11C29/80 ,  G11C29/24 ,  G11C29/34 ,  G11C29/78

Abstract: 一种带有正常列和冗余列的半导体存储器件包括用于指定正常列的正常列译码器和用于指定冗余列的冗余列译码器以使来自正常列的位与来自冗余列的位相组合，从而提供一套无缺陷的全部位组。这可通过使正常列译码器和冗余列译码器一起操作来实现。本申请涉及减少半导体存储器件中功率损耗及所要求的冗余存储器单元数量的问题。

公开(公告)号：CN1052966A

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN90106625.7

申请日：1990-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵秀仁 ,  徐东一 ,  闵东宣 ,  金暎来

IPC: G11C8/02

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C8/14 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储设备，包括多个排成阵列的存储单元、多个字线WL、多个位线BL、和多个连接到各字线的字线驱动器10。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。