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公开(公告)号:CN109072472B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201780023464.6
申请日:2017-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在用于SAP法时可将不仅是镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓赋予层叠体的表面处理铜箔。该表面处理铜箔在至少一侧具有处理表面。处理表面依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm‑1以上,将树脂薄膜热压接于处理表面从而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面,并通过蚀刻去除表面处理铜箔时,残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm‑1以上。
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公开(公告)号:CN110382745A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201880016577.8
申请日:2018-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面,粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的,一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒,收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9~30个/μm2,并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7~1.7μm。
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公开(公告)号:CN109072472A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780023464.6
申请日:2017-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在用于SAP法时可将不仅是镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓赋予层叠体的表面处理铜箔。该表面处理铜箔在至少一侧具有处理表面。处理表面依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm-1以上,将树脂薄膜热压接于处理表面从而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面,并通过蚀刻去除表面处理铜箔时,残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm-1以上。
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