公开(公告)号：CN115994464A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211579932.7

申请日：2022-12-09

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 杨鑫 ,  武新龙 ,  衡可 ,  叶俊杰 ,  欧阳晓平

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提供一种基于焊料层裂纹长度扩展的功率器件剩余寿命预测方法及系统，所述剩余寿命预测方法包括：建立有限元二维模型/有限元三维模型；将所述有限元二维模型/有限元三维模型中的芯片焊料层模型均分为K个单元格；依次执行第1老化阶段、第2老化阶段、……、第S+1老化阶段，得到第k老化阶段完成时刻功率器件的结壳热阻；焊料层裂纹长度随着失效的单元格数量增加而增大；实时监测实际试验中功率器件的功率循环次数、与功率循环次数对应的功率器件的结壳热阻，判断当前功率器件的结壳热阻属于哪个区间，再利用相应的公式计算从当前监测结壳热阻的时刻到芯片焊料层失效所需的功率循环次数。

公开(公告)号：CN115460509A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211071042.5

申请日：2022-09-02

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 杨鑫 ,  许梦伟 ,  张智贺 ,  李姝汛 ,  欧阳晓平

IPC: H04R3/00 ,  H04B11/00 ,  H04B13/02

Abstract: 本发明提供一种利用非线性非福斯特系统的电声换能器带宽拓宽方法，所述电声换能器带宽拓宽方法包括：计算单相全桥逆变器的调制度m’、调制相角θ；在输入阻抗为感性的电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型；所述电抗模型、电阻模型相互串联的结构与将第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联的结构为等效结构。

公开(公告)号：CN120012122A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411860028.2

申请日：2024-12-17

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 崔津华 ,  王敏 ,  杨新 ,  张吉良

IPC: G06F21/60

Abstract: 本发明提供了一种可信执行环境安全增强方法、系统、电子设备及介质，本发明的方法包括：创建可信执行环境；为需要隔离的组件创建实例域，为实例域设置内存域与指令集域；在页面条目级为可信执行环境内存分配不同的锁密钥，为内存域分配不同的访问密钥；当前实例域申请内存访问请求，比对实例域的内存域密钥与所访问的页表条目锁密钥；若匹配失败，则判定为非法访问；若匹配成功，则进行指令集域指令权限和寄存器权限检查；若指令权限和寄存器权限检查通过，则表明当前实例域未发生越权。本发明通过将传统可信执行环境的单虚拟地址空间模型与粗粒度的指令集管理模型扩展为基于页表密钥与基于指令集位图的复合多域模型，增强了飞地安全性与可靠性。

公开(公告)号：CN119852179A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510061813.X

申请日：2025-01-15

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 胡袁源 ,  张宇 ,  胡娴

IPC: H01L21/385 ,  H10D30/47

Abstract: 本发明公开了一种一种掺杂二维半导体的方法及应用，其方法具体为：制备图案化粘性聚合物层；将所述图案化粘性聚合物层的图案侧贴至另一片表面平整的粘性聚合物上形成图案化通孔；向所述图案化通孔内滴入掺杂剂，掺杂剂沿着图案化通孔流动；待掺杂剂凝固后，撕掉表面的所述图案化粘性聚合物层，形成带有粘性聚合物的图案化的掺杂剂；将所述带有粘性聚合物的图案化的掺杂剂转移至二维半导体上进行掺杂。该方法可以精确控制掺杂区域、掺杂浓度以及掺杂极性，进而可以构建逻辑电路。

公开(公告)号：CN119836063A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411807851.7

申请日：2024-12-10

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 李阳锋 ,  杨蓉

IPC: H10H20/816 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延结构，包括衬底，依次层叠设置在衬底上的成核层、非故意掺杂层、N型半导体层、多量子阱有源层、P型半导体层，非故意掺杂层和N型半导体层之间设有阻挡层，阻挡层对电子的势垒高于非故意掺杂层对电子的势垒，同时可有效阻挡位错等漏电通道向上传播。本发明的发光二极管外延结构的漏电通道少，漏电流小，且制备过程较为简单，容易推广应用。

公开(公告)号：CN119753626A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411655103.1

申请日：2024-11-19

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 黎博 ,  易琛 ,  李球球 ,  段曦东

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明属于二维(2D)磁性异质结材料的制备领域，具体涉及一种氧化铬和碲化铬二维异质结及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：S1、将Te源放置在管式炉上游恒温区，将Cr源放置在下游恒温区，所述Cr源包括CrCl3粉末和KCl粉末，将SiO2/Si基底放置于所述Cr源的正上方；S2、通入氩氢混合载气，加热到达所述Te源和所述Cr源的挥发温度，并恒温生长，化学气相沉积得到Te‑Cr2O3/Cr5Te6二维磁性异质结。本发明的制备方法能够得到高质量、空气稳定且优异交换偏置性能的二维反铁磁/铁磁异质结，其对自旋电子器件的应用具有推动意义。

公开(公告)号：CN115765399A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211569894.7

申请日：2022-12-08

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 杨鑫 ,  刘岩超 ,  王潇迪 ,  许梦伟 ,  李清 ,  欧阳晓平

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/18 ,  H02M1/44 ,  H02M3/00 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。