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公开(公告)号：CN114598165B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202011384079.4
申请日：2020-11-30
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 苏宇泉
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , F24F11/88 , F24F11/89
Abstract: 本发明公开一种智能功率模块、电控组件及空调器，该智能功率模块包括：安装基板，沿所述安装基板长度方向的两侧具有相对设置的强电引脚安装侧和弱电引脚安装侧；安装基板的表面设置有多个安装位；逆变功率模块及驱动芯片，安装于对应的安装位上，逆变功率模块与驱动芯片电连接；以及，低电压参考脚、电流检测脚及单点接地引脚，设置于强电引脚安装侧；其中，低电压参考脚与逆变功率模块的输出端连接，低电压参考脚还用于经外部电流检测电阻与单点接地引脚连接；电流检测脚与低电压参考脚电连接；单点接地引脚与驱动芯片的接地端连接。本发明解决了智能功率模块过流保护容易误触发，导致智能功率模块可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN119361557A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411650308.0
申请日：2024-11-18
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种功率因数校正封装器件和电子设备。功率因数校正封装器件包括衬底、第一升压电路和第二升压电路、强电引脚和弱电引脚，强电引脚和弱电引脚分别位于衬底上相对的两侧，第一升压电路和第二升压电路均与强电引脚和弱电引脚连接。本申请的功率因数校正封装器件中，通过将第一升压电路和第二升压电路集成，形成一个功率因数校正封装器件，如此，减小了器件数量，便于安装和走线，并且，可以节省占用空间，显著降低生产成本，而强电引脚和弱电引脚分别位于衬底上相对的两侧能够降低电磁干扰，保证工作稳定。
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公开(公告)号：CN118866951A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477387.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域。半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于半导体衬底上；第二导电类型的浮空区，位于半导体衬底上，且位于相邻两个栅极结构之间，第二导电类型与第一导电类型相反，在浮空区内，位于下方的第一部分的掺杂浓度大于位于上方的第二部分的掺杂浓度。通过设置浮空区的掺杂浓度为下方的第一部分大于上方的第二部分，从而将浮空区的空穴聚集在下方，使得空穴远离浮空区和栅极结构之间的电容，以此减少充电过程，进而减小位移电流，增强栅极结构对EMI和开启损耗的控制。
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公开(公告)号：CN118866880A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310491673.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L23/60 , H01L27/02 , H01L29/861
Abstract: 本申请公开了一种半导体结构及半导体器件，属于功率半导体技术领域。半导体结构包括金属层和多晶硅层，金属层包括沿第一方向依次间隔布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；多晶硅层位于金属层下方，多晶硅层包括多晶硅电阻层、第一多晶硅二极管层和第一隔离层。根据本申请的半导体结构，第一多晶硅二极管层用于形成泄流通道，在第二金属层电压异常时，通过击穿第一多晶硅二极管层实现电压释放，从而保护半导体结构；泄流通道靠近第二金属层保护效果更好，且第一多晶硅二极管层和多晶硅电阻层均为多晶硅，在制程工艺上可以兼容。
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公开(公告)号：CN118538697A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310148540.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 林曦
IPC: H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/07
Abstract: 本申请公开了一种功率模块及其制造方法，所述功率模块，包括：基板，所述基板设有第一导电线路；芯片，所述芯片设于所述基板且与所述第一导电线路焊接连接；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述芯片和所述基板，所述绝缘层设有朝向所述芯片延伸的第一走线通道；第二导电线路，所述第二导电线路位于所述绝缘层的背离所述第一导电线路的一侧，所述第二导电线路通过填充于所述第一走线通道的第一导电金属件与所述芯片电连接。本申请提出的功率模块通过第二导电线路和第一导电金属件代替相关技术中的键合铝线，有效降低系统寄生电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115980540A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111196437.3
申请日：2021-10-14
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 梁海刚
Abstract: 本申请实施例提出了一种集成电路装置和集成测试方法，所述集成电路装置包括：电源、控制单元、功率变换单元和至少两种不同类型的负载；电源的输出端与辅助电路的第一输入端连接，辅助电路的第一输出端与控制单元的第一输入端连接，控制单元的输出端与辅助电路的第二输入端连接；辅助电路的第二输出端连接第一类测试接口，第一类测试接口连接功率变换电路的第一输入端；辅助电路的第三输出端连接功率变换电路的第二输入端；功率变换电路的第一输出端连接辅助电路的第三输入端；辅助电路的第四输出端与控制单元的第二输入端连接；功率变换电路的第二输出端连接第二类测试接口；第二类测试接口与负载连接。
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公开(公告)号：CN115911083A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110968562.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体结构及绝缘栅双极型晶体管，所述半导体结构包括阻挡区、发射极、第一欧姆接触区、第一电压钳位结构和第一隔离介质区，其中，发射极位于阻挡区上方，第一欧姆接触区与发射极间隔设于阻挡区的上方，第一欧姆接触区与阻挡区相接触，第一电压钳位结构设于发射极和第一欧姆接触区之间，第一电压钳位结构包括相接触的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和发射极相接触，第二掺杂区和第一欧姆接触区相接触，并且，第一掺杂区和第二掺杂区的多数载流子的带电荷类型不同，第二掺杂区和阻挡区的多数载流子的带电荷类型相同，第一隔离介质区设于第一电压钳位结构和阻挡区之间。
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公开(公告)号：CN115732114A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111011658.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 林曦
Abstract: 本发明提供一种电线和电线的加工方法，该电线包括铝基体和铜纤维。铜纤维设置在所述铝基体内，其中，所述铜纤维沿所述铝基体的轴向延伸，所述铜纤维具有多条且间隔设置。
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公开(公告)号：CN115684705A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110832444.1
申请日：2021-07-22
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其过流检测电路、家电设备，其中，过流检测电路包括过流检测单元，用于在检测到智能功率模块发生过流时输出过流检测信号；滤波单元，滤波单元与过流检测单元相连，用于滤除过流检测信号中的干扰信号；抗干扰增强单元，抗干扰增强单元与滤波单元相连，用于根据智能功率模块的控制信号生成抗干扰增强信号，并根据抗干扰增强信号提升滤波单元的滤干扰能力。由此，该实施例的智能功率模块的过流检测电路，能够充分提高过流检测的稳定性，有效降低了过流检测中因误触发而发生故障的概率，同时保证正常干扰条件下的过流检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114459129A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210072351.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 赵伟雄
Abstract: 本申请提供一种控制方法、装置、变频设备及计算机可读存储介质，该变频设备至少包括集成智能功率模块IPM、主控单元和负载，集成IPM包括控制单元、至少一个采样电路和至少一个控制电路；控制方法包括：确定变频设备上电启动，获取运行程序，确定运行程序包含的运行控制指令，并将运行控制指令发送至控制单元，其中，运行控制指令包含标识信息；控制单元基于标识信息确定目标电路，并将运行控制指令转发至目标电路；控制单元接收目标电路反馈的输出信号，基于输出信号确定目标操作，控制单元根据第一映射关系确定目标电路对应的目标负载；控制单元控制目标负载执行目标操作，如此，通过集成IPM集成电路，节省电路的占用空间，提升制造效率。
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