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公开(公告)号：CN115295796A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210789380.6
申请日：2022-07-06
Abstract: 本发明公开了Ni金属与MnO2离子交换制备电极材料的方法及其制备的电极材料和应用，属于电池技术领域。本发明方法具体如下：(1)将MnO2粉末与镍盐水溶液按一定比例混合，倒入聚四氟乙烯内衬中；(2)将步骤(1)所述聚四氟乙烯内衬放入衬有特氟隆的不锈钢反应釜中，然后放入干燥箱中，进行水热反应；其中，干燥箱的温度设置为150～200℃，反应时间设置为48h；水热反应结束后，冷却至室温；(3)将步骤(2)所得产物抽滤，干燥，得到所述的Ni‑MnO2电极材料。本发明在已制备好的二氧化锰的基础上，改善了锰基锌离子电池的整体电化学性能，实用性更为广泛。本发明制备的电极材料，其在1A/g电流密度下比容量由开始的92mAh/g，经过2000圈循环后，其容量保持率为81％左右。
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公开(公告)号：CN115239546A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210841387.8
申请日：2022-07-18
Abstract: 本发明公开了一种基于非易失存储器的前向梯度回归加速器及操作方法，该前向梯度回归加速器包括控制模块、存内处理模块和运算模块；控制模块，包括DRAM存储器，用于保存运算数据，并向存内处理模块和运算模块传输相应指令和数据；存内处理模块，包括非易失存储器阵列，用于为前向梯度回归计算残差向量和回归变量之间的余弦相似度，并将运算结果传输给控制模块；运算模块用于接收控制模块的指令和数据，完成数据映射的运算并用于更新回归系数和残差向量。本发明采用非易失存储器阵列以0(1)的方式执行大规模矩阵向量乘法运算，配合DRAM存储器备份数据执行数值迭代算法，在实现加速求解前向梯度回归问题的同时，可确保计算精度。
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公开(公告)号：CN114629468B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210532086.7
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将50MHZ时钟信号处理后输出400MHZ高速时钟信号和50MHZ时钟信号；第一触发器用于对控制信号进行上升沿同步处理输出同步信号；第二触发器用于对同步信号进行20ns延时处理；行触发器阵列中各触发器用于在400MHZ高速时钟信号的控制下输出步进精度为2.5ns的多个可调脉宽脉冲信号，然后通过选择器选择出所需脉宽的脉冲电压信号至相变存储器。本发明能产生20～100ns上升沿下降沿精度高的脉冲电压信号，且脉宽可调，灵活性高。
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公开(公告)号：CN114678282A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
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公开(公告)号：CN114597254A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC: H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
Abstract: 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114446876A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210376505.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
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公开(公告)号：CN114361336A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111641502.9
申请日：2021-12-29
Abstract: 本发明属于半导体信息存储技术领域，更具体地，涉及具有多值特性的SrFeOx阻变存储器、其制备和应用。该阻变存储器自下而上依次包括衬底、下电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层和顶电极，第一电阻变化层和第二电阻变化层的材料为SrFeOm和SrFeO2.5，其中2.7≤m≤3，第一电阻变化层为第二电阻变化层形成导电丝与界面扩散提供所需的氧离子源。该SrFeOx阻变存储器通过结构设计能够具有四个稳定存在的电阻状态，解决了现有技术SrFeOx RRAM的器件目前只能形成高组态和低阻态两种状态，限制了其单位面积下器件存储容量的技术问题。
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公开(公告)号：CN114248199A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111421851.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 强一半导体(上海)有限公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置，包括具有一定厚度的吸附本体，具有上下两个端面。吸附本体的上端面作为吸附抛光头的上吸附区，下端面作为吸附晶圆的下吸附区；内部设有气流通道。上吸附区开设有多组同心圆凹槽，圆凹槽均与气流通道连通；下吸附区开设有多个吸附孔，吸附孔均与气流通道连通；吸附孔呈同心圆状分布，同一圈上相邻两吸附孔之间的间距相同，且该间距由内圈向外圈梯度递减；下吸附区的边缘处设有密封圈，下端面向下凸出，作为晶圆的定位环，凸出段与下吸附区共同界定形成一用于安装晶圆的空间，凸出段的下端面高于或者持平于晶圆的下端面；密封圈与最外层吸附孔之间设有一隔离槽，隔离槽与气流通道连通。
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公开(公告)号：CN114226984A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111478198.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/346 , B23K26/38 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K10/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。
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公开(公告)号：CN114212826A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111397586.6
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种Mo金属掺杂MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸、钼酸钠为原材料，首先将原材料配制成混合反应液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而使高锰酸钾加热分解形成Mo金属掺杂MnO2电极材料。本发明通过简单的一步水热掺杂，得到Mo金属掺杂MnO2电极材料，其中的Mo元素在高度可逆的充放电过程中替换了部分原MnO2中Mn的位置，高价的Mo通过抑制Mn的溶解从而提高了MnO2的循环性能，改善了锰基材料锌离子电池的整体电化学性能。
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