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公开(公告)号：CN108333212B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810136601.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 一种基于自由基含量预测辐致聚合物基复合材料热膨胀系数的方法，它属于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域，本发明解决了航天器在轨运行期间，由于受到实验条件和设备条件的限制，对结构复杂的聚合物基复合材料的热膨胀系数的测量需要的时间较长，且测量难度较高的问题。本发明利用聚合物基复合材料作为实验样品，在真空度小于1Pa条件下，对实验样品进行辐照实验，得出该聚合物基复合材料的自由基含量随着辐照注量或剂量的变化规律与热膨胀系数随着辐照注量或剂量的变化规律一致，因此，在轨运行期间，可以仅测量自由基含量来预测聚合物基复合材料的热膨胀系数。本发明可以应用于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域用。
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公开(公告)号：CN111766498A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735277.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：根据预设时长确定触发信号曲线数据，触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段，过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线，用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡；将触发信号曲线数据转化为模拟信号；对模拟信号进行调制形成注入电压信号，以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式，使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿，消除波形的尖锐边沿，消除其瞬态变化高频畸变，从而保证了触发的瞬态性，又减小了系统的干扰。
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公开(公告)号：CN111766497A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735257.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高精度微弱瞬态电流测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：信号施加电路，用于向被测器件施加偏置电压、激励信号和同步信号，其中，偏置电压使被测器件反向偏置，同步信号对激励信号进行同步控制，以使被测器件产生周期性的微弱电流变化量；信号采样电路，用于获取同步信号，并根据同步信号对微弱电流变化量进行周期性的采样，确定多组同步电流数据；数据处理电路，用于对多组同步电流数据形成的数字序列进行积分处理，确定检测微弱电流信号。本发明通过同步信号，对同步电流数据形成的数字序列进行周期性的积分运算，利用重频叠加的方法，有效获取检测微弱电流信号，保证了测试检测微弱电流信号的准确度和高效性。
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公开(公告)号：CN111766451A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735273.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供了一种高精度电容参数测试的系统及方法，涉及测试技术领域，包括：获取注入微弱高频信号后的被测电容的调制电压和调制电流，其中，高精度电容参数测试系统的信号注入电路用于产生微弱高频信号，高精度电容参数测试系统的检测电路用于检测检测电压和检测电流，高精度电容参数测试系统的IQ调制电路用于对检测电压和所述检测电流进行IQ调制输出调制电压和所述调制电流；根据调制电压和调制电流，确定被测电容的电容值。本发明提供微弱高频信号注入的方法可以实现电容在线测量，简化了测试环境搭建过程，同时，对检测电流和检测电压进行同步IQ变换，利用其零频信息进行信息获取，实现高精度和高速度兼备的电容测量。
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公开(公告)号：CN108303629B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810128665.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108362965B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135822.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00 , H01L21/265
Abstract: 一种基于位移损伤抑制氧化物俘获电荷形成的方法，本发明涉及空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明要解决氧化物俘获正电荷和界面态对电子器件辐射损伤性能的技术问题。方法：确定电子元器件中钝化层距表面最远距离b和最近距离c；计算预辐照入射粒子的射程t1；计算入射粒子在钝化层中电离吸收剂量Id1和位移吸收剂量Dd1；计算log[(Id+Dd)/Dd]值；进行预辐照，确定辐照注入量Φ1；计算电离辐照入射粒子入射深度t2；计算入射粒子在钝化层中的电离吸收剂量Id2和位移吸收剂量Dd2；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]值；进行电离辐照。本发明改变试样中的固有位移缺陷状态，抑制氧化物俘获正电荷的形成，步骤简单，易于操作。本发明应用于电子元器件空间环境效应研究与抗辐照加固技术中。
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公开(公告)号：CN108346565B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810136630.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题，本发明基于Monte Carlo计算方法，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，以及试样特征，确定入射粒子的类型，保证入射粒子在试样的输运过程中，能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，步骤简单，易于操作。本发明应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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公开(公告)号：CN106501284B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610911409.8
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为104～109ion/cm2·s，在所述范围内选择重离子的类型，使一个重离子产生的位移吸收剂量最小。本发明基于重离子辐照实现不同注量率中子辐照所产生的位移缺陷状态，原位检测性能退。
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公开(公告)号：CN106404810B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610911383.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用芳香族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应等效性的评价方法。解决了现有的辐射环境用芳香族聚合物材料空间辐照效应评价误差大的问题。首先计算各辐射源在待测材料样品中的位移辐射吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，绘制各辐射源在辐照条件下的微观结构分析获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，及性能测试获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线。本方法用于对芳香族聚合物绝缘材料进行评价。
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公开(公告)号：CN108364887A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810135806.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种抑制双极工艺电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法，涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象，改变载流子的表面复合速率，进而影响少子寿命的问题。方法：一、确定试样的芯片厚度a；二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d；三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5；五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率；六、进行一次辐照试样；七、进行二次辐照，即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程，本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。
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