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公开(公告)号：CN113415811B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110551822.9
申请日：2021-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种亚铁氰化物的制备方法及其在液流电池中的应用，属于液流电池技术领域。本发明提供的制备方法反应条件温和，且得到的亚铁氰化物纯度高、产率高。本发明通过首先将含有目标产物阳离子的水溶液洗脱阳离子交换树脂制备阳离子交换柱，再将亚铁氰化钾或亚铁氰化钠的水溶液冲洗阳离子交换柱，得到含有亚铁氰根离子的溶液。除去水后，定量获得制备的亚铁氰化物。上述方法制备亚铁氰化物用于制备液流电池用阴极电解液。本发明制备的亚铁氰化物的方法反应条件温和，反应产率高，而且所得到的亚铁氰化物的纯度高，本发明提供的制备方法生产产率均为100％，所制备的亚铁氰化盐的纯度为100％。
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公开(公告)号：CN113990846A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111142394.0
申请日：2021-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/552 , G21F1/02 , G21F1/12
Abstract: 一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法，属于辐射防护材料领域。本发明解决目前的高低Z交替叠层的涂层工艺复杂，需要进行多次涂覆并干燥，耗时较长且防护能力有限的问题；也无法实现具有柔性的技术问题。本发明由MAX相陶瓷基体，经过刻蚀后，得到层状结构的Ti3C2Tx材料，然后通过原子层沉积技术将高Z金属沉积到Mxene层状结构中得到复合材料，再将复合材料与树脂基体进行混合后涂覆于SOI器件表面，即得到辐射防护涂层。本发明的材料可用于生活中的防辐射服、医疗方面及核反应中所需的和防护领域。
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公开(公告)号：CN113878115A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111165027.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/16 , C23C16/40 , C23C16/455 , C09D1/04 , C09D7/65 , C09D7/63 , H01L23/552 , B05D1/02 , B05D3/02
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法，属于特种功能涂层制备技术领域。本发明解决了现有高Z重金属材料与低Z材料在混合的过程中彼此相对分散的均匀性较差，导致相应的复合材料的屏蔽效果无法达到预期的应用效果的问题。本发明利用原子层沉积技术在高Z重金属材料金属表面沉积低Z金属氧化物薄膜，具有沉积温度低，厚度均匀可控的优点，利用其良好的三维保型性和包裹性性能，可有效改善涂覆膜层与基底间的界面结合强度，并采用超声辅助热喷涂工艺将稀释液喷涂于电源管理芯片表面，有效提高涂层抗辐照性能的同时，实现电源管理芯片的空间抗辐射加固，为长寿命高可靠航天器的选材和设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN113684460A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110871783.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种耐事故包壳Cr/CrN复合涂层的制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明利用梯度反应磁控溅射技术，首先在Zr‑4基底上制备一层Cr层，两种金属的匹配性很好，具有优异的结合力，然后通过逐渐增加溅射舱内的N2含量，先沉积亚化学计量比的CrxNy，此时涂层内既存在金属键又存在离子键，有效的增强了结合力，最后在溅射舱内N2的含量达到一定程度时，溅射出的Cr靶材粒子会全部生成CrN，实现外层CrN的沉积，使获得的复合涂层在保证具有较好的高温抗氧化性能和耐磨性能的同时，大大提升了涂层的结合力，达到涂层包壳的应用要求。
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公开(公告)号：CN113521882A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110762937.2
申请日：2021-07-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01D39/14 , B01D17/022
Abstract: 本发明公开了一种基于无尘纸的柔性水处理材料及其制备方法，属于精细化工分离领域。本发明提供一种制备简单、基材柔性优异、可随身携带、重复使用率高、对油性物质低粘附性的无尘纸上制备油水分离涂层的方法。本发明方法如下：将纳米氧化锌、异丙醇、两性离子氟碳表面活性剂混合，磁力搅拌，得到乳液；将无尘纸浸渍在乳液中，待完全浸润后，取出后干燥，即完成。本发明方法制备的油水分离无尘纸涂层单次分离效率可达99％，且对油性物质对无尘纸涂层不粘附，对产生的二次污染几乎为0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112509720B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011357111.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/12 , G21F1/10 , H01L23/552 , C09D179/04 , C09D7/65 , C09D7/61 , C09D7/63
Abstract: 一种氰酸酯基抗辐照加固保形涂层及其制备方法。本发明属于辐照屏蔽材料及其制备领域。本发明的目的是为解决现有辐照屏蔽材料防护性能低下及膜层结合力差的技术问题。本发明的一种氰酸酯基抗辐照加固保形涂层由稀土树脂膜层和原子层沉积于稀土树脂膜层外表面的金属氧化物薄膜构成，所述稀土树脂膜层由稀土微粉、氰酸酯树脂、促进剂、偶联剂和聚醚酰亚胺混合熔融涂覆而成。制备方法：一、将氰酸酯树脂、促进剂、偶联剂、聚醚酰亚胺和稀土微粉混合熔融涂覆于电子元器件的管壳表面，分段固化得稀土树脂膜层；二、在稀土树脂膜层表面周期沉积生长金属氧化物，得到保形涂层。本发明的保形涂层在模拟剂量为100～200kGy的电子辐照下，辐射屏蔽率高达88.5％。
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公开(公告)号：CN113263744A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110399783.5
申请日：2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C69/00 , B29C64/118 , B29C48/05 , C23C16/455 , C23C16/40 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种具有红外波段高吸收的3D打印超黑材料的制备方法；属于空间光学系统杂散光抑制领域。本发明解决了现有3D打印技术制备的超黑材料普遍存在的红外波段吸收率较低的问题。本发明通过调控3D打印喷涂工艺制备出可控表面几何结构、内壁微孔结构的杂散光抑制用超黑材料，并采用原子层沉积技术在超黑材料表面沉积AZO薄膜。本发明利用原子层沉积技术的高保形性特征在不影响超黑材料杂散光抑制结构(内壁微孔，几何结构)的基础上进一步提升超黑材料的红外波段吸收率，扩展该3D打印黑色材料在空间光学领域的应用空间。
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公开(公告)号：CN112251188B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011184410.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09J179/04 , C09J179/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09K5/14
Abstract: 一种适用于光学载荷结构粘接的导热胶膜及其制备方法；属于航天材料领域。本发明要解决现有改性环氧胶膜存在真空可凝挥发物较高且到导热性差，不能满足高精度、高分辨率卫星光学载荷结构粘接需求的问题。本发明方法：用十二烷胺改性氧化石墨烯，加入到环氧树脂的丙酮溶液中，加热搅拌反应，反应完毕后用过量的二氯甲烷冲洗过滤，得到环氧树脂均匀包覆的DA‑GO；将氰酸酯树脂和聚醚酰亚胺混匀后加热熔融，机械搅拌至均匀状，降温至110～130℃，随后分别加入环氧树脂包覆的DA‑GO和过渡金属盐促进剂，用炼胶机进行机械混炼至均匀相；再压制成膜。本发明胶膜导热性增强，并且具有低可凝挥发特性和良好的粘接性能。
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公开(公告)号：CN111073499B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911380605.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D179/04 , C09D7/62 , G09F17/00
Abstract: 本发明公开了一种深空探测器用红旗标识的制备方法，属于航空航天材料制备技术领域。本发明解决现有深空探测器用标识在深空极端环境下易产生裂纹、降解甚至脱落等问题。本发明基于有机/无机杂化体系和界面调控理论，制备得到POSS‑CNT‑ZnO三元复合功能填料，使用该填料对氰酸酯树脂进行改性制备涂层，并将其应用于深空极端环境下探测器的外部标识。涂层中各组分在界面处通过电荷传递和热传递过程展示出良好的协同效应，显著提升涂层的力学稳定性和抗辐照性能。本发明制得的改性氰酸酯涂层是集抗冷热交变、抗电子辐照、抗原子氧、耐紫外辐照和真空低污染于一体深空探测器用标识，该涂层制备方法也可广泛应用于探测器外露部件防护。
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公开(公告)号：CN111254473B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010192975.4
申请日：2020-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法，属于铝硅合金表面处理领域。本发明解决现有铝硅合金的表面难以成膜的问题。本发明采用浓硝酸与氢氟酸的混合溶液作为铝硅合金的刻蚀液，在室温下利用铝硅合金中对于成膜不利的硅与氢氟酸反应将其除去，同时为防止铝基底与氢氟酸反应造成膜层腐蚀，利用硝酸与铝的反应将其钝化以阻止刻蚀液与铝基底进行反应，然后通过微弧氧化技术在恒流模式下使用双向脉冲电源制备致密光滑、耐蚀性优良的高太阳吸收率膜层。本发明制得的膜层既可作为高太阳吸收率消杂光膜层也可作为有机涂层的基体使用，因此在表面改性领域具有广阔的应用前景。
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