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公开(公告)号：CN119478723A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410150639.1
申请日：2024-02-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06V20/17 , G06N3/0464 , G06N3/0495 , G06N3/082 , G06V10/764 , G06T7/20
Abstract: 本发明公开了一种面向地面目标末制导的轻量化识别与跟踪方法，涉及人工智能及无人机控制技术领域，S1：通过机载相机获得第一视角的图像；S2：将获得的图像输入到识别网络，识别网络对第一视角图像进行推理，获得地面目标信息；S3：置信度综合物体属性和物体运动状态构建价值函数，与预设的阈值进行对比，价值函数大于所设阈值，认为识别目标为打击目标，开启跟踪模块；S4：跟踪模块对打击目标进行跟踪并根据打击目标在图像中的位置计算出打击目标相对于机身位置的相对视线角，传递给制导模块，控制飞机飞向打击目标，实现对目标的末制导打击。本发明解决了无人机视觉末制导神经网络对算力需求大难以在边缘设备部署以及误识别的问题。
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公开(公告)号：CN116173922B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310189308.4
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/30 , C08F220/46 , C08F220/06 , C08F222/14 , C22B60/02 , C22B3/24
Abstract: 本发明涉及一种高强度且具有三维连续多级孔隙结构的铀吸附剂及其制备方法，属于吸附材料技术领域。所述铀吸附剂中，乙烯基单体与丙烯腈共聚物形成第一网络，疏水线性分子链物理交联形成第二聚合物网络，第一网络和第二网络全互穿形成双网络分子结构；疏水线性分子链中含有偕胺肟基团和席夫碱吸附位点；所述铀吸附剂为空间具有三维连续性超大孔隙结构和孔壁具有丰富微小孔隙结构的多级孔隙结构。所述铀吸附剂的铀酰离子吸附量为200～1000mg/g。
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公开(公告)号：CN117943044A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410107598.8
申请日：2024-01-25
IPC: B01J23/889 , B01D53/86 , B01D53/62 , B01J23/00 , B01J37/10 , B01J37/34 , B01J37/03 , B01J35/61 , B01J35/40 , C01B32/40
Abstract: 本发明属于空气污染物催化氧化技术领域，涉及一种过渡金属掺杂ε‑MnO2催化剂及制备方法与应用。本发明首先采用增强柠檬酸水热法结合微波辅助超声技术制备ε‑MnO2催化剂载体；然后通过沉淀‑沉积法制备过渡金属(铜、钴、铁、镍)掺杂的ε‑MnO2催化剂。与传统合成方法要求苛刻，本发明制备的ε‑MnO2方法简单，原料易得，可重复性好，产出比高，节约成本；通过沉积‑沉淀掺杂过渡金属元素，能够制备出大量氧空位的同时又具有更高的迁移率进而促进电子转移。制备的催化剂形貌呈现颗粒状，大小均匀，具比表面积大，可宏观制备、环境友好、易回收；并且能够高效去除废气中的CO且去除温度低。
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公开(公告)号：CN117816134A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410111870.X
申请日：2024-01-26
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , C02F1/28 , B01J20/30 , C02F101/00
Abstract: 本发明涉及一种三维连续开孔结构Janus型海水提铀吸附剂及制备方法，属于吸附分离功能材料技术领域。本发明将反应体系1和反应体系2在低温环境聚合后利用氯化钠水溶液中的水将结晶状态的有机溶剂置换，然后再对吸附位点进行改性，最后获得三维连续开孔结构Janus型海水提铀吸附剂。本发明制备的维连续开孔结构Janus型海水提铀吸附剂基质可经过简单的修饰与转化实现铀酰离子吸附位点。使用盐酸羟胺反应将“C≡N”转化成偕胺肟吸附位点。本发明海水提铀吸附剂的上层为疏水层，在阳光的作用下易发生光热，疏水作用下有助于水蒸气的蒸发，开孔的三维网络结构有助于水分自下向上的快速补给，从而连续穿过孔道结构并吸附铀。
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公开(公告)号：CN116952182A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311208892.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B21/14
Abstract: 本发明涉及一种用于固体火箭发动机的内径测量装置及测量方法，装置包括：本体，具有空腔且限定有轴线，在本体的壁上开设有至少一个测量孔；至少一个探头，从所述测量孔中伸出；轴向‑径向位移转换器，呈锥形，且锥形表面与探头抵接；位移传感器，固定至本体并且一端与所述轴向‑径向位移转换器的底面抵接，用于测量所述轴向‑径向位移转换器的轴向移动量；预加载件，一端抵接与所述轴向‑径向位移转换器的底面，另一端固定至固定部分，用于为所述轴向‑径向位移转换器提供预加载力。通过测量探头挤压锥形的轴向‑径向位移转换器而转换为轴向‑径向位移转换器的轴向位置变化，从而实现对固体发动机药柱直径的长时间实时测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114778641B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210258245.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N27/327 , C23C14/18 , C23C14/34 , C30B29/46 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及一种核酸适配体电化学生物传感器探测头、制备及其应用，属于生物传感器检测技术领域。包括自下而上依次设置的胶粘性基底、Bi2Se3单晶层、金纳米颗粒层和绝缘层，绝缘层上开有样品孔。Bi2Se3单晶层与金纳米颗粒层结合，可以为生物分子的固定提供良好的微环境，并可促进电极表面的电子转移。通过靶诱导电极表面核酸适配体构形的变化，导致电子转移效率的变化，进而可以采用电化学测试的方法，通过观察电信号的变化来检测目标分子，实现对目标蛋白的定量检测，且检测线性范围宽。
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公开(公告)号：CN116173922A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310189308.4
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/30 , C08F220/46 , C08F220/06 , C08F222/14 , C22B60/02 , C22B3/24
Abstract: 本发明涉及一种高强度且具有三维连续多级孔隙结构的铀吸附剂及其制备方法，属于吸附材料技术领域。所述铀吸附剂中，乙烯基单体与丙烯腈共聚物形成第一网络，疏水线性分子链物理交联形成第二聚合物网络，第一网络和第二网络全互穿形成双网络分子结构；疏水线性分子链中含有偕胺肟基团和席夫碱吸附位点；所述铀吸附剂为空间具有三维连续性超大孔隙结构和孔壁具有丰富微小孔隙结构的多级孔隙结构。所述铀吸附剂的铀酰离子吸附量为200～1000mg/g。
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公开(公告)号：CN115936444A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211710062.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06Q10/0635 , G06F40/289 , G06F40/30
Abstract: 本申请提供了一种复杂产品装配技术问题风险预警的方法及装置，其中方法包括：当接收到对目标工艺文本进行相似风险工艺预警的指令时，根据所述目标工艺文本的文本长度，确定对应的目标预训练模型和目标相似度算法；根据所述目标预训练模型和目标相似度算法，获取历史问题工艺信息中各历史工艺文本与所述目标工艺文本的语义相似度值；确定所述语义相似度值大于目标阈值的目标历史工艺文本为相似风险工艺文本，并输出所述相似风险工艺文本以及对应的技术问题和解决方案。本申请实施例可以在装配工艺设计阶段就对可能出现技术问题的风险点位进行预警，并便于优化，从而有利于减少甚至是避免出现技术问题，提高了装配企业的生产效率和经济效益。
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公开(公告)号：CN115579719A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211201753.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，具体而言，涉及一种单频涡旋激光器。单频涡旋激光器包括泵浦源、轴锥镜和单块非平面环形腔；泵浦源用于输出高斯光束，轴锥镜和单块非平面环形腔沿光束传播方向依次设置，轴锥镜能够将高斯光束转换为环形光束，单块非平面环形腔能够在环形光束泵浦下，生成单频涡旋激光。本发明提供的单频涡旋激光器，能够生成单频涡旋激光，满足部分特殊场景的需求；此外，本发明提供的单频涡旋激光器对激光的转化效率较高、输出功率较高，还具有结构紧凑、集成度高的优点，且生成的单频涡旋激光噪声低、线宽窄、稳定性好。
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公开(公告)号：CN113445124B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110708350.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Bi4Br4薄膜及其制备方法，属于半导体材料和拓扑材料领域。所述薄膜为α相Bi4Br4。采用分子束外延生长技术，在基底上生长Bi薄膜；所述基底为过渡金属硫族化合物单晶(001)解理面或HOPG(0001)解理面；将BiBr3采用高温裂解的方式在Bi薄膜的表面上沉积Bi和Br，当沉积在Bi薄膜表面上的薄膜的厚度是Bi薄膜厚度的4～5倍时，沉积结束；当基底为HOPG(0001)解理面时，基底上的薄膜为Bi4Br4薄膜；当基底为过渡金属硫族化合物单晶(001)解理面时，基底上的薄膜为BiBr薄膜，对其进行退火处理，得到Bi4Br4薄膜。所述Bi4Br4薄膜品质良好，制备方法简单。
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