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公开(公告)号：CN112382686B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011164466.7
申请日：2020-10-27
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0328 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器及其制备方法。该方法包括：在衬底上采用垂直提拉的方法制备氧化锌凝胶层；对所述氧化锌凝胶层采用退火处理，制备得到ZnO层；在ZnO层的表面上用垂直提拉的方法制备Ti3C2Tx层；对ZnO层和Ti3C2Tx层上分别刷银浆，在保护气氛下进行退火处理，形成欧姆接触，得到所述ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器。本发明提供的ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器，采用类金属导电性的二维Ti3C2Tx纳米片修饰ZnO提升了器件的响应度和外量子效率，可应用在光开关和图像传感器领域。
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公开(公告)号：CN115498053A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211141407.7
申请日：2022-09-20
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及一种光电仿生突触晶体管及其制备方法和器件，属于微电子器件领域。该光电仿生突触晶体管包括依次设置的衬底、栅电极、功能层，以及设置在所述功能层上的源电极和漏电极；所述功能层至少包括依次设置的栅电介质层、金属氧化物有源层和钙钛矿有源层，所述栅电介质层设置在所述栅电极上，所述栅电介质层为具有突触效应的碱金属掺杂高介电常数金属氧化物材料。其集成了电刺激突触可塑性与光刺激突触可塑性，并具有低成本、能大规模制备等优点。
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公开(公告)号：CN111668340B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010496056.6
申请日：2020-06-03
申请人： 东北电力大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0328 , H01L31/0216 , H01L31/042
摘要： 本发明是一种Cd3Cl2O2薄膜及其制备方法和薄膜太阳能电池，其特征是，Cd3Cl2O2薄膜的制备方法采用喷雾热解法，以制备得到的Cd3Cl2O2薄膜作为电子传输层，薄膜太阳能电池有正结构和倒结构两种结构，其优点是：采用喷雾热解方法制备出的Cd3Cl2O2薄膜均匀平整、透光率高、导电率高，制备方法的步骤简单，成本低廉，产率高且性质稳定；将Cd3Cl2O2薄膜作为薄膜太阳能电池的电子传输层可以有效提高太阳能电池的器件性能，降低太阳能电池的生产成本，具有较高的工业化应用价值。
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公开(公告)号：CN114744062A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210320603.4
申请日：2022-03-29
申请人： 黄淮学院
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构；所述Ga端接触的异质结构的带隙为0.62‑1.32eV，所述As端接触的异质结构的带隙为1.84‑1.95eV。二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。
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公开(公告)号：CN113421933A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110577465.3
申请日：2021-05-26
申请人： 海南聚能科技创新研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/0296 , H01L31/0328 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种半导体复合材料，包括TiN纳米管阵列基底以及复合于所述基底表面的C3N4‑CdS复合材料层。本发明向TiO2上掺杂C3N4和CdS，从而加强其光催化的能力。通过测样发现TiN‑C3N4‑CdS的半导体复合材料,比传统的TiO2材料的光电响应提高了5倍以上。
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公开(公告)号：CN111477716B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010289646.1
申请日：2020-04-14
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L31/11 , H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成有一盲孔；在两盲孔内皆沉积二维1T‑WS2材料，两层二维1T‑WS2材料与单晶硅衬底形成1T‑WS2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上、下两层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有近红外窄带响应、响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点，将在研发低成本、高速、稳定、高集成度的窄带近红外探测器中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112635594A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011506539.6
申请日：2020-12-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/032 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于极性J‑TMDs/β‑Ga2O3异质结的高速光电子器件及其制备方法，主要解决现有β‑Ga2O3基光电子器件响应速度慢的问题。其包括衬底(1)、β‑Ga2O3光吸收层(2)和金属源漏电极(4,5)，衬底采用SiO2/Si衬底，且SiO2作为栅介质材料，Si作为底部的栅电极；β‑Ga2O3光吸收层的上部设有极性J‑TMDs层，用于与该光吸收层构成异质结，以抑制激子复合，使得电荷在异质结界面处快速转移；金属源电极位于β‑Ga2O3层上的一端，金属漏电极位于极性J‑TMDs层上与金属源电极相对的一端。本发明提升了界面处的传输性能，提高了器件的响应速度，可用于制备高性能的光电探测器。
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公开(公告)号：CN112382686A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011164466.7
申请日：2020-10-27
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0328 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器及其制备方法。该方法包括：在衬底上采用垂直提拉的方法制备氧化锌凝胶层；对所述氧化锌凝胶层采用退火处理，制备得到ZnO层；在ZnO层的表面上用垂直提拉的方法制备Ti3C2Tx层；对ZnO层和Ti3C2Tx层上分别刷银浆，在保护气氛下进行退火处理，形成欧姆接触，得到所述ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器。本发明提供的ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器，采用类金属导电性的二维Ti3C2Tx纳米片修饰ZnO提升了器件的响应度和外量子效率，可应用在光开关和图像传感器领域。
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公开(公告)号：CN110729371A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911011625.7
申请日：2019-10-23
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0328
摘要： 本发明涉及一种基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器及系统，具体而言，涉及光电测量领域。该光电探测器包括：衬底、石墨烯层、第一掺硼硅量子点、第一电极、第二电极、第一隔离层和第二隔离层；当光线照射到该光电探测器上时，该石墨烯层、该第一掺硼硅量子点和该衬底对光线进行吸收，该光电探测器中产生很多的空穴，多个空穴在第一掺硼硅量子点中被缺陷态捕获，电荷在电场作用下被快速抽离，少数载流子被释放前，相当于电荷在回路中被多次循环，进而该光电探测器上形成了很大的电流，通过该电流与该光电探测器光的吸收率的对应关系，得到该光电探测器光的吸收率。
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公开(公告)号：CN109830552A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910137657.5
申请日：2019-02-25
申请人： 景德镇陶瓷大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0328 , H01L31/0296 , H01L21/02 , B82Y10/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种用于太阳能电池吸光层的纳米晶薄膜制备方法，首先将有机长链配体修饰分散性良好的半导体纳米晶墨水通过旋涂方式沉积于指定的导电基底，后用卤族原子配体溶液处理制备纳米晶薄膜。将所获得纳米晶薄膜基底以一定角度置于离心管中，并在预处理保温离心管中加入有机混合溶剂以一定的转速处理一段时间。通过对基底角度、有机混合溶剂成分比例、转速及时间等参数的调控，可以获得微观结构致密且电学性能优异的纳米晶薄膜。该方法尤其适用于预先合成纳米晶薄膜后期优化处理，工艺简单且可重复性较好，在微纳光伏器件领域有广泛的应用前景。
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