本发明公开了一种基于极性J‑TMDs/β‑Ga2O3异质结的高速光电子器件及其制备方法，主要解决现有β‑Ga2O3基光电子器件响应速度慢的问题。其包括衬底(1)、β‑Ga2O3光吸收层(2)和金属源漏电极(4,5)，衬底采用SiO2/Si衬底，且SiO2作为栅介质材料，Si作为底部的栅电极；β‑Ga2O3光吸收层的上部设有极性J‑TMDs层，用于与该光吸收层构成异质结，以抑制激子复合，使得电荷在异质结界面处快速转移；金属源电极位于β‑Ga2O3层上的一端，金属漏电极位于极性J‑TMDs层上与金属源电极相对的一端。本发明提升了界面处的传输性能，提高了器件的响应速度，可用于制备高性能的光电探测器。