监控薄膜沉积
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105917023A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201480054124.6

    申请日:2014-10-03

    Inventor: M·B·林赞

    CPC classification number: C23C16/52 C23C14/546 G01B7/066 G01R25/00

    Abstract: 描述了一种用于监控薄膜沉积的系统。该系统包括石英晶体和用以产生调制信号的合成器。调制信号将通过石英晶体接地。该系统还包括相位检测器,用以确定来自石英晶体的调制信号的相位,从而监控薄膜沉积。调制指数可以被选择,使得在共振时,信号的高频匹配晶体频率。

    一种测量装置及镀膜设备
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104165573B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201410301568.7

    申请日:2014-06-26

    Inventor: 吴海东 马群

    CPC classification number: G01B7/066 C23C14/24 C23C14/54 C23C14/546

    Abstract: 本发明公开了一种测量装置及镀膜设备。该测量装置包括:第一石英晶振片,在镀膜过程中一起被镀膜;第二石英晶振片,和第一石英晶振片相同,在镀膜的过程中被遮挡,不会被镀膜;激励源产生单元,用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片测试单元;第一计算模块,用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值;第二计算模块,用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值;第三计算模块,用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。本发明提高了膜厚测量精度。

    一种镀膜膜厚监测方法

    公开(公告)号:CN105486215A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201510930393.0

    申请日:2015-12-15

    Inventor: 周东平

    CPC classification number: G01B7/066

    Abstract: 本案为一种镀膜膜厚监测方法,包括:挡板,设于挡板上的通孔,第一晶振,第二晶振,其中,第一晶振与第二晶振的监测位置相同,通孔处为监测位置,第一晶振在监测位置被镀膜时,遮挡第二晶振;当第一晶振被镀膜到一定的厚度后,第一晶振被移离而第二晶振被移到监测位置,对膜厚进行连续监测。本案提供的镀膜时膜厚监测装置可精确地监控厚膜层的厚度,从而保证准确完成复杂膜系的镀膜,提高了产品的良率;同时可以实现复杂膜系厚度的准确监测,而且成本低,方法简单。

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