药物递送载体和使用其共递送多种治疗剂的药物制剂

    公开(公告)号:CN114452397B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202011214492.6

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种药物递送载体,其包含穿膜肽修饰的阳离子脂质体和阳离子材料,其中所述阳离子材料选自带正电的多聚氨基酸、PEI、penetratin或penetratin的衍生物、PAMAM。本发明还涉及所述药物递送载体递送一种或多种治疗剂的用途、使用所述药物递送载体制备的用于共递送多种治疗剂的药物制剂、以及使用所述药物递送载体制备用于共递送多种治疗剂的药物制剂的方法。使用所述药物递送载体制备的药物制剂的粒径介于50nm至300nm,稳定性好,能够将多种治疗剂同时递送至相同的病灶部位,使多种治疗剂发挥协同的治疗作用,显著提高了治疗效果。

    液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件及它们的制造方法及光学膜

    公开(公告)号:CN110951494B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201910870200.5

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明提供一种可获得液晶取向性、透明性及耐溶剂性优异的液晶取向膜的液晶取向剂。液晶取向剂中含有具有由式(1)所表示的部分结构的聚合物。(式(1)中,R1为氢原子或一价有机基,X1为四价有机基,X2为二价有机基。Mn+为具有典型金属元素或过渡金属元素的n价阳离子。n为1以上的整数。m1为1或2,m2为0或1,且满足m1+m2=2。)#imgabs0#

    液晶取向剂、液晶取向膜、液晶取向膜的制造方法及液晶元件

    公开(公告)号:CN113512194B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202110289921.4

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶取向膜的制造方法及液晶元件,其用于获得在使用负型液晶的情况下也显示低的预倾角,并且不易产生残像,电压保持率高,且可靠性优异的液晶元件。在液晶取向剂中含有在主链具有式(1)所表示的部分结构的聚合物[P]。式(1)中,A1及A2分别独立地为二价的含氮芳香族杂环基,B1及B2分别独立地为单键或二价的芳香环基。X1及X2分别独立地为‑O‑或‑NR1‑(CH2)n‑。R1是氢原子或一价有机基,n是1~3的整数。Y1是具有一个以上的芳香环,且通过相同或不同的芳香环分别键结于X1及X2上的二价基。“*”表示键结键。*‑A1‑B1‑X1‑Y1‑X2‑B2‑A2‑* (1)。

    液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、以及液晶元件

    公开(公告)号:CN110093167B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN201910057261.X

    申请日:2019-01-22

    Inventor: 植阪裕介

    Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、以及液晶元件,在以具有与聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷不同的主骨架的聚合物为聚合物成分的情况下,可获得涂膜均匀性良好的液晶取向膜的液晶取向剂。液晶取向剂中,聚合物成分为具有与聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷不同的主骨架的聚合物(P),溶剂成分包含相对于总溶剂量而为1质量%~90质量%的以式(1)所表示的化合物(A)。HO‑R10‑OH (1)R10为碳数2~10的二价链状烃基、碳数3~10的二价脂环式烃基、在所述链状烃基或脂环式烃基的碳‑碳键间包含“‑O‑”的二价基等。

    液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、聚合物及化合物

    公开(公告)号:CN114502609B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202080070166.4

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本公开涉及一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、聚合物及化合物。使液晶取向剂含有聚合物(A),所述聚合物(A)具有源自选自由式(1)所表示的化合物及式(2)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种单体的结构单元。式中,R1及R2表示R1及R2中的一者为具有聚合性基的一价基、另一者为氢原子或一价有机基,或者R1及R2彼此结合而与R1及R2所键结的氮原子一起构成的环结构。其中,环结构具有聚合性碳‑碳不饱和键。A1为一价有机基,A2为羟基或一价有机基。满足0≦n1+n2≦8。

    人类人工多能干细胞的培养方法、人类人工多能干细胞培养物、以及脑类器官的制造方法

    公开(公告)号:CN115956117A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202180050396.9

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 一种人类人工多能干细胞的培养方法,具有如下工序:将人类人工多能干细胞相对于培养器以1.0×104~1.0×106cells/cm2的接种密度接种于培养基,进行二维培养。一种脑类器官的制造方法,具有如下工序:工序1,将通过上述人类人工多能干细胞的培养方法而得到的人类人工多能干细胞的培养物在含有BMP抑制剂和转化因子β(TGFβ)抑制剂的培养基中进行培养,形成细胞聚集体;工序2,将上述细胞聚集体在含有Wnt信号转导通路增强剂和细胞外基质的培养基中进行培养;以及工序3,将上述工序2中得到的培养物进行搅拌培养。

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