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公开(公告)号：CN111512643A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083366.6
申请日：2018-12-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H04R17/00 , H01L41/047 , H01L41/083
Abstract: 根据本公开，提供了一种能够谋求向低音侧的共振点的移行的压电元件。如压电元件(1)的结构，发明人新发现了通过设定为将活性区域(16)的周围被不活性区域(18)包围的结构，从而能够将压电元件(1)的共振点移动至低音侧。根据共振点移动至低音侧的压电元件(1)，在应用于音响设备的情况下能够实现实用上足够高的声压。
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公开(公告)号：CN105321641B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510389036.8
申请日：2015-07-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/79 , H01C1/14 , H01C7/008 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种常温电阻率小且电阻温度系数α大的BaTiO3系半导体陶瓷组合物。该半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，包含0.010～0.050mol的Sr，并且Sr的摩尔比u与Bi的摩尔比x满足下述式(6)，(Ba1‑x‑y‑wBixAyREw)m(Ti1‑zTMz)O3(1)(A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)。0.007≤x≤0.125(2)；x
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公开(公告)号：CN107043252A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710067787.7
申请日：2017-02-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01C7/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧，25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为：在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中，Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代，并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代，在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时，满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43；0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25；0＜(RE含量+TM含量)≤0.01，并且在晶体粒径为1.1～4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值，该峰值的分布频率为20％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111770797B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201980015429.9
申请日：2019-02-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: B06B1/06 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09
Abstract: 本发明的振动器件(1)具备：双压电晶片型的压电元件(10)，其具有相互相对的第一主面(11a)及第二主面(11b)；振动部件(60)，其与压电元件(10)的第二主面(11b)接合。压电元件(10)具有在第一及第二主面(11a)、(11b)之间靠第一主面(11a)配置的第一活性区域(19)和在第一及第二主面(11a)、(11b)之间配置于比第一活性区域(19)更靠第二主面(11b)的第二活性区域(20)。在第一活性区域(19)产生的力是(F1)，在第二活性区域(20)产生的力是(F2)，振动部件(60)约束第二活性区域(20)的力是(Fr)的情况下，满足F2－F1≧Fr。
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公开(公告)号：CN106431390B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610627105.9
申请日：2016-08-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化，常温电阻率小，即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化，并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO3系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)(A为Na和K，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w＝1(5)、u+z＝1(6)、0.950≤m≤1.050(7)，进一步含有0.001～0.055mol的Ca，Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。
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公开(公告)号：CN106431390A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610627105.9
申请日：2016-08-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/027 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/602 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , H01C1/1406 , H01C7/025 , C04B35/468 , C04B2235/3224 , H01C7/026
Abstract: 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化，常温电阻率小，即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化，并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO3系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)(A为Na和K，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w＝1(5)、u+z＝1(6)、0.950≤m≤1.050(7)，进一步含有0.001～0.055mol的Ca，Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。
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公开(公告)号：CN305166196S
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201830183995.9
申请日：2018-04-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：振动元件。
2．本外观设计产品的用途：本产品安装在移动信息终端或游戏设备等电子设备中。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5．基本设计：设计1是基本设计。
6．透明情况：设计1的树脂部件、设计2的树脂部件和压电元件是透明的。
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