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公开(公告)号：CN101667427A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
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公开(公告)号：CN101447550A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404319A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810161988.4
申请日：2008-10-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应(magneto－resistive effect)元件和磁盘装置。本发明是一种具备：分隔层和夹着分隔层层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层、在该层叠方向上施加有检测电流而成的CPP(Current Perpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，其构成为，第一铁磁层和第二铁磁层以这两层的磁化方向所成的角度对应于外部磁场而相对变化的方式发挥作用，分隔层包含半导体氧化物层，在构成全部或一部分分隔层的半导体氧化物层与绝缘层相接触的位置，插入了含有氮元素的界面保护层，因此，在半导体氧化物层与界面保护层的接合表面上形成了共价成键性高的氮化物，氧从半导体氧化物层向绝缘层的移动受到抑制，即使元件受到加工工艺上的热或应力的影响，也能够抑制元件特性的变动或变差。
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公开(公告)号：CN103440874A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310045946.5
申请日：2013-02-05
CPC classification number: H05K3/3421 , B23K1/0016 , H01S5/02236 , H01S5/02272 , Y10T29/49144
Abstract: 本发明的激光二极管单元的制造方法包括步骤：将激光二极管置于形成子基座的安装面的焊料构件之上；将加压载荷施加于激光二极管，并将激光二极管压向焊料构件；接着，在所述焊料构件被施加加压载荷的同时，通过对焊料构件以高于焊料构件的熔点的温度进行加热，使焊料构件熔融，其后，通过冷却并焊料构件使其固化，将激光二极管接合于子基座，其后，解除加压载荷；以及在已经除去加压载荷之后，通过以低于焊料构件的熔点的温度对焊料构件进行加热，使固化了的焊料构件软化，其后，冷却焊料构件并使其再固化。
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公开(公告)号：CN101447550B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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公开(公告)号：CN101335325A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810129328.8
申请日：2008-06-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3967 , H01L43/10
Abstract: 本发明涉及一种具备间隔层和包夹上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层、在该层叠方向上施加了检测电流而成的CPP(CurrentPerpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，自由层以磁化方向相应于外部磁场而变化的方式发挥作用，间隔层具有：由非磁性金属材料形成的第一非磁性金属层和第二非磁性金属层、以及介于该第一非磁性金属层和第二非磁性金属层之间的半导体氧化物层，构成间隔层的半导体氧化物层由从氧化锌、氧化锡、氧化铟和氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)的组中选择的至少一种构成，第一非磁性金属层由Cu构成，第二非磁性金属层实质上由Zn构成，因此，可以进一步提高MR变化率和耐热性。
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公开(公告)号：CN1581299A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062674.0
申请日：2004-08-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3912 , G11B5/3932 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49044 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种薄膜磁头的制造方法，包含以下工序：形成下部屏蔽层(S101)，其后，形成MR元件(S103)，实施牵制层退火处理(S105)，通过该牵制层退火处理，在抗强磁性层和牵制层之间就会赋予交换耦合，其后，形成磁区控制层以及电极层(S107)，形成上部屏蔽层(S109)，其后，沿着得到纵向偏移磁场的方向上对磁区控制层磁化(S111)，之后，形成记录头(S113)，之后，把行列状多个排列薄膜磁头形成的基台切断成一体排列多个薄膜磁头的多条杆(S115)。
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