公开(公告)号：CN1309682C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN01124350.3

申请日：2001-07-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  广瀬正和 ,  塚田岳夫

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/475

Abstract: 本发明提供一种不含铅，具有十分高的居里点，并且显示优良压电特性的压电陶瓷。该压电陶瓷中含有作为铋层状化合物的Bi3TiNbO9型结晶和/或MBi2Nb2O9型结晶，式中的M表示选自Sr、Ba和Ca的至少一种元素，其中所含的Bi、Ti、M和Nb是主成分元素，作为上述主成分元素的氧化物，其摩尔比以通式(Bi3-xMx)z(Nb1+yTi1-y)O9表示，其中，0＜x，y≤0.8，0.95≤z≤1.05，当摩尔比Ba/(M+Bi)以xB/3表示并且摩尔比Ca/(M+Bi)以xc/3表示时，0≤xB≤0.5，0≤xc＜0.4。

公开(公告)号：CN111384229B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201911336734.6

申请日：2019-12-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井健太 ,  七尾胜 ,  佐久间仁志 ,  野口隆男

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/50 ,  H10N30/057

Abstract: 薄膜层叠体具备：由金属构成的金属层和层叠于金属层的表面的薄膜，第一方向被定义为与金属层的表面平行的一个方向，第二方向被定义为与金属层的表面平行，且与第一方向交叉的一个方向，金属层包含多个第一金属粒及多个第二金属粒，第一金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第一方向延伸，第二金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第二方向延伸。

公开(公告)号：CN108172682B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201711276070.X

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  大桥光平 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/277

Abstract: 本发明的目的在于提供一种位移量大并且位移量的温度依存性小的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体(100)具备第一电极层(3)、被层叠于第一电极层(3)的第一中间层(4)、被层叠于第一中间层(4)的第二中间层(5)、被层叠于第二中间层(5)的压电薄膜(6)，第一中间层(4)含有K、Na以及Nb，第二中间层(5)为使压缩方向的应力产生于压电薄膜(6)的层，压电薄膜(6)含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN107235724B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710195606.9

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  石井健太

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成，所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

公开(公告)号：CN105461303B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201510617259.5

申请日：2015-09-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜

IPC: C04B35/495 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供在‑40℃～85℃的温度区域中压电特性的温度变化率小的压电组合物以及具备它们的压电元件、或者溅射靶材。所述压电组合物以(K1‑x‑yNaxLiy)q(Nb1‑zTaz)O3…(1)(0.20≤x≤0.80，0.02≤y≤0.10，0.01≤z≤0.30，0.800≤q≤1.050)、SrZrO3…(2)、Ba(Nb1‑wTaw)2O6…(3)(0.01≤w≤0.30)、(Bi0.5Na0.5)TiO3和/或(Bi0.5K0.5)TiO3…(4)、(1‑m‑n‑p)A+mB+nC+pD…(5)(A表示(1)所示的复合氧化物，B表示(2)所示的复合氧化物，C表示(3)所示的复合氧化物，D表示(4)所示的复合氧化物，0.04≤m≤0.07，0

公开(公告)号：CN107235723A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710190349.X

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  佐野达二 ,  古川正仁 ,  石井健太

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，其特征在于，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是，必须有Nb(铌))，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30％以上。

公开(公告)号：CN1830897A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610056980.2

申请日：2006-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 家住久美子 ,  塚田岳夫 ,  井上正良 ,  山崎纯一 ,  七尾胜 ,  古川正仁 ,  坂本英也 ,  坂本典正

IPC: C04B35/491 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其主成分为以Pb、Ti、Zr为构成元素的复合氧化物，含有从Mn、Co、Cr、Fe、Ni中选择的至少一种作为第一副成分，该第一副成分的含量换算成氧化物为小于等于0.2质量％(但不包括0)；或者，含有以CuOx(x≥0)表示的成分中的至少一种作为第一副成分，此时的第一副成分的含量换算成CuO为小于等于3.0质量％(但不包括0)。压电陶瓷组合物在还原烧成条件下烧成，所述还原烧成条件例如为烧成温度在800℃～1200℃，氧分压为1×10－10～1×10－6大气压。本发明可以使用Cu、Ni等廉价金属材料作为电极材料，可以抑制高温下电阻、电气机械结合系数kr的下降。

公开(公告)号：CN100442565C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510068581.3

申请日：2005-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  古川正仁 ,  坂本英也 ,  塚田岳夫

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/493 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  H01L41/083 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明提供一种能够在低温中烧结，同时能够提高压电特性的压电陶瓷和压电元件。含有Pba[(Znb/3Nb2/3)xTiyZrz]O3(0.94≤a≤1.02、1＜b≤3、x+y+z＝1、0.05≤x＜0.125、0.275＜y≤0.5、0.375＜z≤0.6)或(Pbe-fMef)[(Zng/3Nb2/3)uTivZrw]O3(0.96≤e≤1.03、0.01≤f≤0.1、1＜g≤3、u+v+w＝1、0.05≤u＜0.125、0.275＜v≤0.5、0.375＜w≤0.6、Me是Sr、Ba、Ca)。通过过剩地包含Zn，能够降低烧结温度，提高压电特性。

公开(公告)号：CN100432014C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200480038272.5

申请日：2004-12-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 古川正仁 ,  七尾胜 ,  室泽尚吾 ,  佐藤直义 ,  黑田朋史

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供了使用温度范围宽、可以得到大的位移量、容易烧成、低公害并且对于环境和生态学方面良好的压电陶瓷及其制造方法。压电基板(1)含有(1-m-n)[(Na1-x-yKxLiy)(Nb1-zTaz)O3]+m[(M1)ZrO3]+n[M2(Nb1-WTaW)2O6]作为主成分。式中，M1和M2是碱土金属元素，优选的是0.1≤x≤0.9，0≤y≤0.1，0＜m＜0.1，0＜n≤0.01。这样，可以提高居里温度并增大产生位移量，还可以容易烧成。烧成时，在制备(M1)ZrO3之后与其它原料混合。

公开(公告)号：CN1993301A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025996.0

申请日：2005-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  塚田岳夫 ,  坂本英也

IPC: C04B35/49 ,  H01L41/24 ,  H01L41/22 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/493 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43 ,  Y10T156/10

Abstract: 作为提供给烧成的粉末，使用比表面积为1.8－11.0m2/g的粉末。由此，可以改善烧结性，即使在1050℃以下、进而在1000℃以下进行烧成也可以获得烧结密度高且具有所希望的压电特性的压电陶瓷。压电陶瓷可以设定成以组成式(Pba1Aa2)[(Zn1/3Nb2/3)xTiyZrz]O3表示的主成分。其中，组成式中，A是选自Sr、Ba和Ca中的至少一种金属元素，以原子比计，0.96≤a1+a2≤1.03，0≤a2≤0.10，x+y+z＝1，0.05≤x≤0.40，0.1≤y≤0.5，0.2≤z≤0.6。