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公开(公告)号：CN117769341A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211130509.9
申请日：2022-09-15
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，通过在发光层与电子功能层之间设置界面修饰层，所述界面修饰层包括聚甲基丙烯酸(PMAA)与贵金属离子的络合物，所述络合物中PMAA为一种高分子有机绝缘材料，具有非常高的LUMO以及很低HOMO能级，因此所述络合物结构稳定且能作为电子阻挡材料使用，所述界面修饰层能够对电子传输端一侧的电子传输效率进行调控，提高光电器件的载流子传输的平衡性，提高光电器件的发光效率等性能。而所述贵金属离子，能够引发局域表面等离子体共振(LSPR)，从而提高光电器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN117015291A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210444136.6
申请日：2022-04-25
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置，所述制备方法包括步骤：提供包含氧化石墨烯和4‑硼苯磺酸的混合物；对所述混合物进行热处理，获得复合材料，将制得的复合材料用于制备发光器件的电子阻挡层，能够阻挡过量电子朝向阳极转移，并且提高发光器件的空穴传导能力，有效促进发光器件的电子‑空穴传输平衡，从而提高发光器件的光电性能和使用寿命，将所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116437770A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111666255.8
申请日：2021-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/115 , H10K59/10
摘要： 本申请涉及光电器件的后处理方法、装置、光电器件、显示装置和可读存储介质，该后处理方法包括对光电器件进行通电，并在预设时间范围内对光电器件进行紫外线照射处理和/或加热处理，当光电器件的亮度达到预设亮度阈值时，结束通电，以及紫外线照射处理和/或加热处理过程，以通电驱动为基础，进一步结合紫外线照射处理和/或加热处理的方式，从整体上快速缩减整个光电器件的亮度缓慢上升至亮度峰值时所需要的驱动时间，从而使得光电器件获得优异性能的同时，亮度保持稳定，进而提高光电器件实际的工业生产效率。
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公开(公告)号：CN116426268A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111646048.6
申请日：2021-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种量子点的提纯方法、量子点和光学器件，提纯方法包括：提供量子点溶液；混合量子点溶液与含芳香硝基的聚合物，使含芳香硝基的聚合物与量子点溶液中含有碳碳双键的有机杂质反应发生聚沉；以及纯化处理，得到提纯后的量子点。本申请仅需向量子点溶液中加入一种含有芳香硝基的高分子聚合物，即能同步去除量子点中所有的含有碳碳双键的有机杂质，有效提高量子点的纯度，简化了纯化工序，且本申请未引入新的杂质，保护量子点性能不被杂质影响，从而提高了量子点的发光效率，改善了量子点的光电性能。
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公开(公告)号：CN116410446A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111620944.5
申请日：2021-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C08G61/12 , H10K50/15 , H10K50/115 , H10K85/10 , H10K59/10
摘要： 本申请公开了一种聚合材料及其制备方法、量子点发光二极管和显示装置。聚合材料的结构如式5所示，聚合材料包括支链带有硝基的聚(9,9‑二辛基芴‑共‑N‑(4‑仲基苯基)‑二苯基胺)材料。支链带有硝基的聚(9,9‑二辛基芴‑共‑N‑(4‑仲基苯基)‑二苯基胺)材料的制备方法包括：将2,7‑二溴‑9,9‑二辛基芴与4‑仲丁基硝基苯基‑对硼羟基二苯胺反应，得到聚合材料。采用本申请聚合材料作为量子点发光二极管的空穴传输层，可以降低空穴传输层和量子点层接触后粗糙度，提高空穴的传输速度，从而提高量子点器件的性能。
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公开(公告)号：CN116242809A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111486091.0
申请日：2021-12-07
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 本申请实施例公开了一种量子产率测量装置及其量子产率的测量方法，该量子产率测量装置包括积分球、光源和载样设备，光源用于提供射入积分球内的激发光束；载样设备设置在积分球中；载样设备包括机架、样品台和掩膜板；样品台和掩膜板均设置在机架上，样品台用于放置待测试样品；掩膜板设有用于供激发光束穿过并照射到待测试样品的通孔，通孔的面积小于或等于4mm2。本申请还提供了基于该量子产率测量装置的量子产率的测量方法。本申请提供的量子产率测量装置、量子产率的测量方法可以提高待测试样品的荧光量子产率的测量准确性。
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公开(公告)号：CN116144344A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111401453.1
申请日：2021-11-22
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子点的纯化方法。本申请的量子点的纯化方法通过含有巯基的高分子聚合物与量子点中所含有的游离镉离子络合形成沉淀，再通过固液分离去除沉淀，可有效去除量子点制备过程中因采用含镉前驱体所残留的镉离子，进一步降低镉离子的残留量，有效提高量子点的纯度，提高量子点的荧光量子效率，改善量子点的性能。
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公开(公告)号：CN116940160A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210324895.9
申请日：2022-03-29
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过电子功能层的蓝光，以减弱这些蓝光对电子功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN111375312B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811612404.0
申请日：2018-12-27
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及量子点纯化技术领域，具体提供一种量子点的纯化方法及量子点纯化装置。该纯化方法包括如下步骤：提供待纯化的量子点溶液：所述待纯化的量子点溶液中含有游离的油溶性配体；提供超滤膜丝组件：所述超滤膜丝组件具有进料端及出料端，所述进料端设有用于吸附所述游离的油溶性配体的材料层；使所述待纯化的量子点溶液透过所述材料层并使所述游离的油溶性配体与所述材料层结合后，进入所述超滤膜丝组的进料端并由所述超滤膜丝组的出料端排出。本发明的纯化方法，可以有效对含有游离的油溶性配体的量子点进行纯化，具有纯化时间短、纯化效率高、不引入杂质等优势。
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