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公开(公告)号：CN118284112A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211734205.3
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/17 , H10K50/15 , H10K50/13 , H10K50/165 , H10K59/12
摘要： 本发明提供了一种光电器件及其制备方法、显示装置，涉及光电技术领域。光电器件包括：相对设置的第一电极和第二电极；第一叠层单元，设置于第一电极和第二电极之间；第二叠层单元，设置于第一叠层单元和第二电极之间；以及连接层，设置于第一叠层单元与第二叠层单元之间；连接层包括层叠设置的电子隧穿层、熟化串联层和电荷产生层，电子隧穿层的材料包括掺杂的硫化物。本发明提供的光电器件的电荷产生层压降较低，连接层性能较佳。
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公开(公告)号：CN117412651A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210785249.2
申请日：2022-07-05
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料、受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。所述受阻酚类抗氧化剂中具有活泼的氢原子，在空穴传输材料老化产生自由基时，活泼的氢原子可以与所述自由基结合，形成氢过氧化物和稳定的苯氧基自由基，而硫代酯类抗氧化剂可以将氢过氧化物分解转化成非活性的稳定产物，在受阻酚类抗氧化剂与硫代酯类抗氧化剂的协同作用下，可以有效地减弱从发光层传递来的漏电子与空穴传输层积累的空穴结合所产生的激子对空穴传输材料的降解作用，减缓空穴传输材料的老化，提升发光二极管的寿命。另，本申请还公开了一种包括所述发光二极管的显示装置。
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公开(公告)号：CN116410733A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111623430.5
申请日：2021-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H10K50/16 , H10K50/165 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K85/60 , H10K59/10
摘要： 本申请提供一种复合材料及制备方法、光电器件及制备方法和显示装置，复合材料包括：电子传输材料；以及改性黑磷量子点，其中，改性黑磷量子点包括用于与电子传输材料形成异质结的黑磷量子点以及结合于黑磷量子点表面的含巯基的苯并咪唑化合物。本申请在电子传输材料中引入了含巯基的苯并咪唑化合物修饰的黑磷量子点，由于引入的含巯基的苯并咪唑化合物修饰的黑磷量子点存在孤对电子，孤对电子与电子传输材料以及发光层量子点之间的强相互作用，促进了黑磷基的杂化材料的合成，增加了层与层之间的结合性能，产生了协同效应，提高了器件的电子传输能力及器件寿命。
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公开(公告)号：CN115953455A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111176218.9
申请日：2021-10-09
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种溶液注入方法及其应用，涉及工业技术领域。溶液注入方法包括：提供管道，往管道预注入溶液，启动图像摄取，获取管道的溶液无气泡时的图像作为基准图片；继续注入溶液，并按预设频率对流经管道的溶液进行图像摄取，得到实时图片；以及根据基准图片和实时图片的灰度值，输出灰度差异信息。利用该方法能够获知管道内气泡的情况，实现溶液注入情况的掌控。本发明提供的溶液注入方法的应用，用于制备发光二极管、太阳能电池、药物、生物材料。
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公开(公告)号：CN115867094A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111115036.0
申请日：2021-09-23
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/12 , H10K71/15 , H10K50/115
摘要： 本申请公开了一种光电器件，包括阳极、空穴注入层、发光层及阴极，所述空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒。本申请的光电器件的空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒，所述碳包覆氧化亚铜颗粒表面的碳层既可以避免氧化亚铜被氧化，又可以钝化氧化亚铜表面的缺陷，提高空穴注入层的空穴注入效率，进而保证光电器件具有高发光效率的同时还具有较好的稳定性。另，本申请还公开了一种光电器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN113125527B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201911413506.4
申请日：2019-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/333
摘要： 本发明属于生物检测技术领域，具体涉及一种传感器及其制备方法和四环素检测方法。该传感器，包括：电极基板；纳米二氧化钛薄膜，所述纳米二氧化钛薄膜结合在所述电极基板表面；纳米金或纳米银薄膜，所述纳米金或纳米银薄膜结合在所述纳米二氧化钛薄膜背离所述电极基板一侧的表面；适配体，所述适配体与所述纳米金或纳米银薄膜背离所述纳米二氧化钛薄膜一侧的表面连接。该传感器提高了对四环素的检测灵敏度，在四环素检测领域中具有很好的应用。
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公开(公告)号：CN114695693A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011624284.3
申请日：2020-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电子传输复合膜及其的制备方法和发光二极管。所述电子传输复合膜包括电子传输层和与所述电子传输层邻接的电子抑制层；所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团；所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。所述电子传输复合膜能够有效降低电子传输层的电子注入速率，使得电子注入与空穴注入的载流子更加平衡，而且与发光层界面亲和度好，从而显著提高发光器件的发光性能和稳定性。电子传输复合膜制备方法的条件易控，使得制备的电子传输复合膜性能稳定，制备的效率高，成本低。
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公开(公告)号：CN114689958A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011636005.5
申请日：2020-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请实施例提供了一种器件寿命测试方法、设备、终端设备和可读存储介质，所述方法包括：以第一恒流电流对待测试器件进行通电，并在持续通电的过程中，获取待测试器件的第一器件亮度变化信息；根据第一器件亮度变化信息，判断待测试器件是否达到在第一恒流电流下的第一器件最大亮度；在待测试器件达到第一器件最大亮度时，增大第一恒流电流的值，直至增大后的恒流电流等于第二恒流电流；以第二恒流电流对待测试器件持续通电以进行器件寿命测试。本申请实施例通过由较低的第一恒流电流开始逐步增加至第二恒流电流，保证了器件既得到充分的通电，又减少对器件的损伤，降低待测试器件因起始状态不稳定造成的亮度波动，提高提高寿命测试准确性。
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公开(公告)号：CN113130835B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911417465.6
申请日：2019-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：提供阴极；在阴极上形成量子点发光层；在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在第二过渡金属氧化物层远离石墨烯层的一侧形成阳极，得到量子点发光二极管。本发明通过增设第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层的夹心结构作为空穴注入层来提高空穴的注入能力，在量子点发光二极管上实现电子与空穴的主动平衡，提升电子空穴对的复合效率，使器件的发光效率得到提高。
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公开(公告)号：CN113054049B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201911383363.7
申请日：2019-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光电探测器技术领域，尤其涉及一种量子点光电探测器，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为An‑1BnO3n‑3，其中，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3；所述N型半导体层包括钙钛矿材料。本发明光电探测器包括钙钛矿材料、量子点和复合金属氧化物的P/N结构量子点光电探测器，光响应范围广，可检测200～800nm波长的光信号，灵敏度高，且无需外加电场驱动即可实现对光信号的检测，应用方便灵活。
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