公开(公告)号：CN107039542B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201710017356.X

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  李承允 ,  池光善 ,  崔珉浩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/054

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

公开(公告)号：CN108091706A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711143544.3

申请日：2017-11-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  李承允 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: 提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域被设置在所述半导体基板的一个表面上；第一电极线，所述第一电极线被设置在所述导电区域上并沿着第一方向延伸；以及第二电极线，所述第二电极线被设置在所述导电区域上并沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一电极线包括具有球形形状和第一平均直径的第一粒子，并且所述第二电极线包括具有非球形形状和第二平均直径的第二粒子。

公开(公告)号：CN107039542A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710017356.X

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  李承允 ,  池光善 ,  崔珉浩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/054

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

公开(公告)号：CN106997906A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710024078.0

申请日：2017-01-13

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  池光善 ,  李洪哲 ,  黄圣贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

公开(公告)号：CN102473776B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080034233.3

申请日：2010-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈昡孜 ,  李承允 ,  柳东柱 ,  李宪民 ,  黄先泰 ,  安世源 ,  鱼英株

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。

公开(公告)号：CN101297364B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200480033549.5

申请日：2004-11-12

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 徐勋 ,  金真弘 ,  李承允 ,  金进镛

IPC: G11B7/26 ,  G11B27/36

CPC classification number: G11B7/268 ,  G01N2033/0088 ,  G01N2033/0096 ,  G11B7/00375 ,  G11B7/24056

Abstract: 揭示一种评估光学记录介质表面上的抗污染水平的方法。所述方法包括：通过其上黏附有人工材料的印模与光学记录介质相接触，而在所述光学记录介质表面形成人工指印；并且测量形成有人工指印符号出错率(SER)，以确定指印的敏感度，同时取决于受测SER来确定所述光学记录介质是好质量还是坏质量的。

公开(公告)号：CN101297364A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200480033549.5

申请日：2004-11-12

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 徐勋 ,  金真弘 ,  李承允 ,  金进镛

IPC: G11B7/26 ,  G11B27/36

CPC classification number: G11B7/268 ,  G01N2033/0088 ,  G01N2033/0096 ,  G11B7/00375 ,  G11B7/24056

Abstract: 揭示一种评估光学记录介质表面上的抗污染水平的方法。所述方法包括：通过其上黏附有人工材料的印模与光学记录介质相接触，而在所述光学记录介质表面形成人工指印；并且测量形成有人工指印符号出错率(SER)，以确定指印的敏感度，同时取决于受测SER来确定所述光学记录介质是好质量还是坏质量的。

公开(公告)号：CN101208745A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680018609.5

申请日：2006-05-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  徐勋

IPC: G11B7/007 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 当激光束投射到其上的时候，光记录介质以产生具有不同于信息记录层中其它的材料的反射系数的新材料的机制记录信息。该光记录介质包括基片(60)和放置在基片上以反射进入的激光束并且具有信息记录层(100)的反射层(50)。该信息记录层(100)包括包含从Si、Ge和Sb的组中选择出来的一个或多个元素的第一信息记录层(100)，和包含从Si、Sb、Te和Al的组中选择出来的一个或多个元素的第二信息记录层(120)。数据可以以高密度记录，并且该光记录介质提供高记录稳定性和记录灵敏度。