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公开(公告)号：CN103400932B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1?xMxCuwOa?yQ1yTeb?zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178202B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310054899.0
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x 0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103130199B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101960627B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980108016.1
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1且x+y+z＞0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101977846B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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公开(公告)号：CN1234179C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02812484.7
申请日：2002-12-02
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/4235 , H01M2004/028 , H01M2300/0037 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及一种包含防过量放电剂的锂蓄电池。确切地说，本发明通过向包含氧化锂过渡金属、能够吸着和释放锂离子的锂蓄电池的阴极加入作为防过量放电剂的氧化镍锂提供一种包含防过量放电剂的锂蓄电池，其在过量放电测试中具有优良的效能并在测试后电容量恢复率达到90%或以上。氧化镍锂提供锂离子以使阳极的不可恢复的电容量得到补偿或改善，从而在过度放电测试中首先降低阴极电压以阻止阳极电压增高。
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