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公开(公告)号：CN1868037A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅·钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅·钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅·钴膜。
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公开(公告)号：CN1432873A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02160643.9
申请日：2002-06-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/038
CPC classification number: C07C309/23 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C381/12 , C07C2602/42 , C07C2603/86 , C07D333/46 , C07D333/78 , C07D335/02 , C07D347/00 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0757 , Y10S430/114 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种含有下式(I)的结构的新的光致酸发生剂，其中R表示具有小于或等于50％的氟含量的一价有机基团、硝基、氰基或氢原子，Z1和Z2各自是氟原子或直链或支链有1－10个碳原子的全氟烷基。当用于化学放大辐射敏感树脂组合物时，光致酸发生剂表现出高透明度、较高的可燃性，和没有生物累积，产生的酸表现出高酸性、高沸点、在树脂涂层中适度的扩散长度以及对掩模图形密度的低依赖性。
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公开(公告)号：CN105001880A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510160502.5
申请日：2015-04-07
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K19/56 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂及液晶显示元件。所述液晶取向剂含有聚亚芳基。所述聚亚芳基优选具有由下述式(P)所表示的重复单元的聚合物。本发明的液晶取向剂可形成在长时间内电压保持率的下降少、即便在严酷的使用条件下也不会产生残像、且可靠性优异的液晶取向膜、且涂布性(印刷性)优异。
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公开(公告)号：CN102161638A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110030385.2
申请日：2011-01-19
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及一种新型化合物以及含有该化合物的放射线敏感性组合物。本发明的目的在于提供一种新化合物，该化合物的升华性低，作为光聚合引发剂使用时，具有高的放射线灵敏度，而且溶解性优异；以及提供可以形成具有高的表面硬度和透明性的固化膜的放射线敏感性组合物。本发明的第一方案是下述式(1)所示的化合物。本发明的第二方案是一种放射线敏感性组合物，该放射线敏感性组合物包含[A]作为光聚合引发剂的上述化合物，以及[B]具有乙烯基不饱和双键的聚合性化合物。上述放射线敏感性组合物优选进一步含有[C]碱可溶性树脂。
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公开(公告)号：CN100423199C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅-钴膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100423197C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN03801435.1
申请日：2003-08-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/208
CPC classification number: C23C24/10 , C23C26/02 , C30B7/005 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02667 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN100355653C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200480000672.7
申请日：2004-06-11
Applicant: JSR株式会社
IPC: C01B33/04 , C01B33/021 , H01L21/208
CPC classification number: C09D183/16 , C01B33/08 , C09D4/00 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , C08G77/00
Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。
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公开(公告)号：CN1276303C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02160643.9
申请日：2002-06-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C07C309/23 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C381/12 , C07C2602/42 , C07C2603/86 , C07D333/46 , C07D333/78 , C07D335/02 , C07D347/00 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0757 , Y10S430/114 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种含有下式(I)的结构的新的光致酸发生剂，其中R表示具有小于或等于50%的氟含量的一价有机基团、硝基、氰基或氢原子，Z1和Z2各自是氟原子或直链或支链有1-10个碳原子的全氟烷基。当用于化学放大辐射敏感树脂组合物时，光致酸发生剂表现出高透明度、较高的可燃性，和没有生物累积，产生的酸表现出高酸性、高沸点、在树脂涂层中适度的扩散长度以及对掩模图形密度的低依赖性。
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公开(公告)号：CN1249126C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02809212.0
申请日：2002-04-30
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: G03F7/0397 , C08G77/08 , C08G77/24 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0757
Abstract: 一种甚至在193nm(特别是157nm)或更短波长下也表现出高透光度和极佳抗干蚀性的聚硅氧烷树脂，其包含通式(I)和/或通式(II)所示单元而且有酸解离基团：(I)(II)(其中R1为氟化或氟烷基化的一价芳基或氟化或氟烷基化的一价脂环基；R2为上述一价芳基、上述一价脂环基、氢、卤素、一价烃基、卤烷基、或氨基)。一种灵敏度和分辨率极佳的辐射敏感树脂组合物，包括(A)上述树脂和(B)光致产酸剂。
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公开(公告)号：CN1697781A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000672.7
申请日：2004-06-11
Applicant: JSR株式会社
IPC: C01B33/04 , C01B33/021 , H01L21/208
CPC classification number: C09D183/16 , C01B33/08 , C09D4/00 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , C08G77/00
Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。
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